台股、美股皆已收盤更新

《熱門族群》三星短暫跳電+DRAM看漲,南亞科領漲

2020/01/02 09:33 時報資訊

【時報記者沈培華台北報導】韓國三星電子華城廠日前發生約1分鐘的短暫跳電事故,市場預期對於DRAM、NAND Flash的產能有短期影響,刺激台廠包括南亞科 (2408) 、華邦電 (2344) 以及旺宏 (2337) 等股今早全面開高。

根據外電報導,三星電子位於韓國華城的晶圓廠區於2019年12月31日發生短暫跳電事故,影響該廠區DRAM、NAND Flash及採用極紫外光(EUV)技術的邏輯晶片生產。三星正在進行生產產線檢查,在了解受損程度之後,希望可以在最短時間內恢復生產。據相關業者指出,晶圓廠都有電力備援系統,整體來看對記憶體市場影響十分有限,但短期預期心理加上本季DRAM價格看漲的題材,激勵股價續強。

DRAM市場庫存調整近尾聲,今年可望隨著記憶體市況逐季好轉。南亞科去年第四季獲利預估持續下滑,但本季有機會淡季不淡,上周吸引投信持續買超。

南亞科即將公布12月營收。公司10、11月營收接連寫下今年7月以來低點,但法人預估12月營收止跌,估月增率上看一成,但整體上季的營收比前一季高檔下滑逾5%,受到產品價格仍小跌,去年第四季本業獲利預估也續降。

展望今年,隨著市場供需改善,研調機構看好今年DRAM市場回復成長。南亞科也預估去年第四季DRAM供需平穩,價格持平或小幅漲跌,預計最快今年第一季產品價格止跌回升。

據集邦科技記憶體儲存研究DRAMexchange最新調查,DRAM現貨價的翻揚改變市場氛圍。在預期性心理因素下,有利於合約市場中買方的備貨意願提高,目前預估合約價可能提前至2020年第一季止跌。

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