大突破 陸製DUV光刻機 可生產65奈米以下晶片

大陸半導體國產技術傳出新突破！大陸工信部9月初公布的「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」的通知中，列出可用於生產65奈米或以下晶片的氟化氬光刻機（DUV曝光機），可減少對國外曝光設備的依賴。

荷蘭政府近日才提高產業巨頭艾司摩爾（ASML）旗下兩款先進製程曝光機設備的出口限制，被認為是針對中國大陸而設。大陸在曝光機研發的最新進展，無異是為相關領域打了一劑強心針。

新浪財經報導，上述通知目錄中的「積體電路生產裝備」項目，列出了氟化氪光刻機和氟化氬光刻機。

工信部資訊顯示，氟化氬光刻機使用波長為193奈米的雷射作為光源，具備極高的解析度（小於或等於65奈米）和精準的套刻精度（小於或等於8奈米），可用於製造先進製程的晶片。

芯智訊引述專家指出，氟化氪光刻機是老式的248奈米光源的KrF光刻機，解析度為小於或等於110奈米，套刻精度小於或等於25奈米；氟化氬光刻機則是193奈米光源的ArF曝光機（也被稱為DUV曝光機），但披露的這款依然是乾式DUV曝光機，而非更先進的浸沒式DUV曝光機（也被稱為ArFi曝光機）。

從官方披露的參數來看，該DUV曝光機解析度為小於或等於65奈米，套刻精度小於或等於8奈米。雖然相比之前上微的SSA600曝光機有所提升（解析度為90奈米），但是仍並未達到可以生產28奈米晶片的程度，更達不到製造8奈米、7奈米晶片的程度。

另外，消息指出，大陸國產氟化氬光刻機的研發，主要由中微半導體、上海微電子裝備集團進行研發，中國科學院微電子研究所也有重要貢獻。上海微電子曾完成大陸首台氟化氬（ArF）光刻機研製，並實現產品流片，且在2023年初，市場就傳出上海微電子已在著手研發第二代浸沒式曝光機。

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