《科技》衝刺新品市占 三星擬停產舊規HBM

時報資訊

【時報-台北電】業界傳出，三星電子的HBM2E高頻寬記憶體（HBM）已進入「Last Buy」最後採購階段，顯示其將資源集中於新一代HBM3E與HBM4的布局。

三星對此消息表示，無法確認。但法人認為，HBM市場年複合成長率超過45％，三星傳停產舊規格的HBM，應有助於三星加快技術迭代，並鞏固其與SK海力士、美光的「三強爭霸」地位。

與此同時，陸廠加快進攻高階記憶體市場。長鑫存儲宣布16nm DDR5 DRAM已量產，性能超越SK海力士12nm產品，並計畫2025年將產能擴至每月18萬片晶圓，目標2026年切入LPDDR5與車用DRAM，為未來進軍HBM鋪路。

長江存儲則靠Xtacking混合鍵合技術快速追趕，量產全球首款270層3D NAND Flash，與三星、美光的層數差距逐漸縮小。

其232層QLC NAND亦已打入企業級儲存市場，並與中國AI晶片廠密切合作，強化資料中心與邊緣運算布局。

長鑫與長江分屬DRAM與NAND兩大領域，但雙方技術協作潛力備受關注。例如，長鑫若掌握DRAM堆疊與混合鍵合（Hybrid Bonding）技術，長江擁有Xtacking（透過矽通孔/TSV技術）經驗，雙方可望結合實現中國版本的HBM堆疊技術。

法人指出，三大記憶體原廠掌控市場主導權，但陸廠急起直追，影響不可小覷。近年陸廠以價格戰衝擊市占，導致2023～2024年記憶體均價下跌逾6成。

價格戰促使三星與SK海力士選擇減產，而長鑫與長江則逆勢擴產，以「產能換市占」策略突破封鎖。

法人預期，三星未來將擴大HBM3E產能，並計劃2025年推出12層堆疊的HBM4。同時，也將加速汰除舊世代DRAM與NAND產線。

業界分析，地緣政治風險升高，全球記憶體供應鏈加速區域化。美韓陣營強化與歐盟、印度合作，而中國大陸則憑藉龐大內需推動國產替代。未來五年，兩大陣營在技術與市場的競爭態勢，將成為半導體產業的關鍵觀察指標。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍／台北報導)

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