Lam Research科林研發以 ALTUS® Halo實現鉬的原子層沉積

Lam Research 科林研發宣布推出 ALTUS® Halo ,這是全球首款利用金屬鉬的特性來生產先進半導體的原子層沉積(ALD)設備。

藉由多項專利創新技術,ALTUS Halo 可為先進半導體元件提供卓越的低電阻率金屬填充、以及無空隙鉬金屬化的高精度沉積。

ALTUS Halo 目前正與所有領先的晶片製造商進行驗證和試量產,該設備半導體金屬化新時代的轉折點,將為未來人工智慧、雲端運算和下一代智慧元件所需的先進記憶體和邏輯晶片的微縮奠定基礎。

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