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270層奇蹟!陸廠記憶體技術大逆襲 韓廠慌了:快到這種程度

吳美觀

中國大陸在記憶體領域的崛起正引發全球關注,其中長江存儲的技術進展尤為突出,該公司推出新一代儲存半導體堆疊層數約達270 層,接近三星電子水準,讓競爭對手驚嘆「沒想到技術竟提升到這種程度」。

日經新聞報導,在中美科技對抗持續升溫的背景下,長江存儲因受惠於北京政府鼓勵國產半導體的政策,不僅加速技術突破,市占也首次邁入全球前列。

市佔急升、直逼國際大廠

據Counterpoint數據,長江存儲今年第一季在全球NAND出貨量市占率首次達到10%,第三季更年增4個百分點至13%,緊追位居全球第4的美國美光科技。隨著大陸品牌筆電與智慧手機大量採用其NAND產品,全年市占率可望持續站穩一成以上。

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目前長江存儲在全球NAND銷售額約占 8%,但公司設定的目標在2026 年底前拉高至 15%。隨著武漢周邊新廠區陸續投資完成,其產能將占全球供應量約 20%,屆時有機會超越日本鎧俠,並直逼南韓SK海力士。

另一方面,在DRAM市場,中國大陸的長鑫存儲也展現擴張力道。該公司今年第三季市占率達 8%,位居全球第 4,較2024 年同期增加2個百分點;在大陸本地市占率更高達40%。不過,在高頻寬記憶體(HBM)領域仍落後南韓廠商約五年,短期內難以撼動高端市場。

價格競爭力推動海外版圖

大陸記憶體企業之所以能快速擴大版圖,關鍵在於價格優勢。例如 NAND價格普遍比其他國家便宜1~2成。然而,自2022年起美國將長江存儲列為出口管制對象,日本企業也顧慮制裁風險未積極採用,使其海外發展受到一定阻力。

即使如此,國際半導體產業協會指出,大陸記憶體廠的產品良率仍持續提升,若未來價差擴大,全球採用比例恐將「勢不可擋」。

值得注意的是,南韓記憶體廠雖高頻寬記憶體(HBM)市場具有壟斷優勢,但其原料與設備高度依賴海外,且在混合鍵結等核心技術上缺乏關鍵專利,可能面臨專利訴訟風險。相較之下,中國大陸在相關專利上快速追趕,三星已與長江存儲簽署專利授權協議,意味著大陸在全球記憶體專利版圖上的影響力正逐步提升。

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