《科技》LNOI、InP崛起 挑戰矽光子
【時報-台北電】AI、雲端運算及高速資料中心的需求持續攀升,光子積體電路(PIC)成為提升資料傳輸效率的核心技術。矽光子技術憑藉其與CMOS製程的高度相容性及成本優勢,穩坐市場主流地位。
然而,隨著更高頻寬、更低功耗需求的增加,絕緣體上鈮酸鋰(LNOI)與磷化銦(InP)等新興材料平台逐漸崛起,可能挑戰矽光子的市場霸主地位。
國內HiSPA聯盟會長、台科大講座教授李三良指出,台灣在矽光子領域起步較早,晶圓代工龍頭台積電、封測巨頭日月光,以及光通訊廠商上詮、波若威等均積極投入研發。
IC設計涵蓋PIC與EIC整合,量測設備業者亦參與其中。台灣政府透過「晶創計畫」將矽光子列為重點發展項目,憑藉半導體產業基礎與封裝優勢,台灣矽光子產業前景可期。
矽光子技術目前是市場主流,但LNOI與InP的崛起,預示未來競爭加劇。
矽光子技術利用成熟的半導體製造基礎設施,實現大規模量產,同時與電子元件高度整合,使其成為當前市場首選。然而,矽材料本身缺乏強烈的電光效應,需引入薄膜鈮酸鋰或鈦酸鋇等材料,提升調變器效能。
LNOI憑藉低光學損耗與高電光係數,近年來備受矚目。其強大的電光效應使其在高速資料傳輸中表現出色,尤其適用於資料中心3.2T可插拔模組,預計2027至2028年逐步進入市場。市場預測顯示,LNOI在資料通訊領域的市場規模將於2029年達到10億美元,年均成長率接近100%。
InP技術因可直接整合雷射光源,降低組裝成本與複雜度,在長距離通訊應用中展現優勢,尤其在IM-DD與相干光通訊領域潛力巨大。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍/台北報導)