強強聯手！意法半導體攜手英諾賽科，簽署氮化鎵合作開發協定
【財訊快報／記者張家瑋報導】化合物半導體強強聯手再添一樁，意法半導體（ST）宣布與全球氮化鎵大廠英諾賽科（Innoscience）簽署氮化鎵（GaN）技術合作開發協定，攜手構築AI資料中心、再生能源發電與存儲、汽車等領域之功率電子技術，未來雙方可使用對方在歐洲與中國之製造產能，以各自拓展氮化鎵產品組合和市場供應能力，並通過增強供應鏈佈局的靈活性和韌性，提供客戶多樣化應用的需求。英諾賽科表示，雙方達成聯合開發氮化鎵功率技術的共識，並在未來幾年內共同推動該技術在消費電子、資料中心、汽車、工業電源系統等領域。此外，根據協定約定，英諾賽科可使用意法半導體在中國以外地區的前端製造產能生產其氮化鎵晶圓，而意法半導體也可利用英諾賽科在中國的前端製造產能生產其自有的氮化鎵晶圓。
意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS與感測器產品部總裁Marco Cassis表示，意法半導體與英諾賽科均為垂直整合器件製造商（IDM），此次合作將最大化發揮這一模式的優勢。另一方面，意法半導體將加速氮化鎵功率技術路線圖，以補充現有的矽和碳化矽產品供應體系；此外，意法半導體還將通過靈活的製造模式服務全球客戶。
英諾賽科董事長兼創始人駱薇薇博士指出，氮化鎵技術對實現更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統至關重要。英諾賽科率先實現8英寸矽基氮化鎵晶圓量產，累計出貨超10億顆氮化鎵器件，覆蓋多領域市場。此次與意法半導體的戰略合作將進一步擴大和加速氮化鎵技術普及，雙方團隊將共同開發下一代氮化鎵技術。
