鴻海研究院第四代半導體應用跨新里程碑

工商時報 侯冠州

鴻海今（17）日表示，旗下鴻海研究院半導體所與陽明交通大學及德州大學奧斯汀分校進行跨國合作，投入第四代半導體的前瞻研究，近日已在衛星通訊及高功率元件領域取得顯著突破。近期的研究成果已發表在國際頂級期刊《Applied Surface Science Advances》以及《ACS Applied Electronic Materials》，深獲學術界與產業界肯定。

第四代半導體指的是超寬能隙（Ultra-Wide Bandgap, UWBG）半導體材料，如鑽石、AlN、β-Ga₂O₃。相較於前三代半導體，它們具有更寬的能隙（bandgap），通常大於 3.4 eV，使其在高功率、高頻、高溫環境下表現更優異。第四代半導體可應用於電動車與快充技術、高壓電力設備、太空與航太科技。

鴻海研究院半導體研究所所長郭浩中指出，此項技術的突破展現了鴻海在半導體領域的深厚研發實力，很高興與陽明交通大學合作，將學術研究轉化為產業應用潛力，特別是在高壓、高頻元件的需求日益增長的背景下，這項成果將為通訊及高功率等領域帶來深遠影響。

本項研究在第四代半導體領域取得顯著突破，為未來通訊技術和高功率領域應用奠定了基礎。研究團隊未來計劃進一步優化改善β-Ga₂O₃的結構設計與製程技術，為全球高功率電子產業注入新動能。

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