英飛凌 推出全球最薄矽功率晶圓

工商時報 侯冠州
英飛凌發表全球最薄矽功率晶圓。圖／英飛凌提供
英飛凌發表全球最薄矽功率晶圓。圖／英飛凌提供

繼推出全球首款12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓後，英飛凌今（29）日再度宣布製造出迄今最薄的矽功率晶圓，晶圓厚度僅20微米，比人的頭髮還要細，是目前最先進晶圓厚度的一半。

英飛凌指出，這項創新將有助於大幅提高AI資料中心、消費、馬達控制和運算應用中功率轉換解決方案的能源效率、功率密度和可靠性；由於晶圓厚度減少了一半，基板電阻較原本基於40-60微米厚的傳統半導體晶圓解決方案降低了50％，因此電源系統中的功率損耗可減少15％以上。

英飛凌補充，對於高階AI伺服器應用來說，電流增大會推動能源需求上升，因此，將電壓從230V降低到1.8V以下的處理器電壓，對於電源轉換來說尤為重要；而超薄晶圓技術大幅促進基於垂直溝槽MOSFET技術的垂直功率傳輸設計，且這種設計實現了與AI晶片處理器的高度緊密連接，在減少功率損耗的同時，提高整體效率。

英飛凌指出，該技術已獲得客戶認可，並被應用於英飛凌的整合智慧功率級（DC-DC轉換器）中，同時，該技術還擁有與 20 微米晶圓技術相關的強大專利組合，而隨著目前超薄晶圓技術的發展，預計在未來三到四年內將取代現有的傳統晶圓技術用於低壓功率轉換器。

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