Kioxia開發出OCTRAM（氧化物半導體通道電晶體DRAM）技術

Business Wire
圖1：InGaZnO垂直電晶體的橫截面TEM影像（照片：美國商業資訊）
圖1：InGaZnO垂直電晶體的橫截面TEM影像（照片：美國商業資訊）
圖2：開發出的InGaZnO電晶體的(a)導通和(b)關斷電流特性（圖片：美國商業資訊）
圖2：開發出的InGaZnO電晶體的(a)導通和(b)關斷電流特性（圖片：美國商業資訊）
圖3：OCTRAM全景視圖（照片：美國商業資訊）
圖3：OCTRAM全景視圖（照片：美國商業資訊）

東京, December 11, 2024--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--記憶體解決方案領域的全球領導者Kioxia Corporation今天宣布開發出OCTRAM（氧化物半導體通道電晶體DRAM），這種新型4F2 DRAM由同時具有高導通電流和超低關斷電流的氧化物半導體電晶體組成。該技術可望透過發揮InGaZnO*1電晶體的超低洩漏特性來實現低功耗DRAM。這一消息是在2024年12月9日於加州舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上首次公布。這項成果由Nanya Technology和Kioxia Corporation共同開發。該技術可望降低多種應用的功耗，包括AI和後5G通訊系統以及物聯網產品。

OCTRAM使用圓柱形InGaZnO垂直電晶體（圖1）做為單元電晶體。該設計可實現4F2 DRAM的適配，相較傳統的矽基6F2 DRAM，在記憶體密度方面具有顯著的優勢。

透過元件和製程最佳化（圖2），InGaZnO垂直電晶體可實現超過15微安/單元的高導通電流 （1.5 x 10-5安/單元）和低於1絕對安培/單元的超低關斷電流 （1.0 x 10-18安/單元）。在OCTRAM結構中，InGaZnO垂直電晶體被整合在高深寬比電容器（電容器優先製程）的頂部。這種安排允許對先進電容器製程和InGaZnO效能之間的相互作用進行解耦（圖3）。

*1: InGaZnO是In（銦）、Ga（鎵）、Zn（鋅）和O（氧）的化合物

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關於Kioxia

Kioxia是全球記憶體解決方案領域的領軍企業，致力於快閃記憶體和固態硬碟(SSD)的開發、生產和銷售。其前身是Toshiba Memory，於2017年4月從1987年發明了NAND快閃記憶體的公司Toshiba Corporation脫售出來。Kioxia致力於透過提供產品、服務和系統來為客戶創造選擇，並為社會創造以儲存技術為基礎的價值，從而提升世界的「記憶」。Kioxia創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™正在塑造儲存技術在高密度應用領域（包括高階智慧型手機、PC、SSD、汽車和資料中心）的未來。

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