台積米玉傑看半導體產業：最好的日子尚未到來

張珈睿／台北報導
台積電共同營運長米玉傑指出，半導體產業最好的日子尚未到來，並認為AI將全方面改變人類生活。圖／本報資料照片
台積電共同營運長米玉傑指出，半導體產業最好的日子尚未到來，並認為AI將全方面改變人類生活。圖／本報資料照片

2025年生成式AI邁入起飛年，台積電執行副總經理暨共同營運長米玉傑指出，業界最好的日子尚未到來，AI將全方面改變人類生活，技術創新為半導體行業帶來最新的突破。他除了親自揭示2奈米、3D Fabric之外，更展示繼GAAFET（多閘極電晶體）架構之後的CFET（互補式場效電晶體）最新進展，其中台積電已經做出首個能運作的CFET結構，持續推進埃米世代新技術。

IEDM 2024（第70屆國際電子元件年會）如火如荼舉辦中，台積電作為技術領先公司，由米玉傑代表出席，並發表「半導體行業展望和新技術前沿」主題演講。米玉傑表示，透過半導體技術持續創新，AI將改變人類生活的方方面面。半導體強調產業合作的必要性，他相信，合作將推動技術和平台整合創新，以滿足未來幾十年對節能、數據密集運算之需求。

延續設計技術協同優化（DTCO）傳統，台積電在N3 FinFLEX、N2 NanoFLEX和A16之晶背供電解決方案都有台廠供應鏈參與其中。供應鏈透露，DTCO可以協助客戶縮短晶片設計到投片的前置時間，因為IP相關業者於開發初期便與護國神山合作、投注資源開發，如M31、力旺等矽智財大廠，另外設備、耗材業者家登、天虹、中砂等公司也能在明年2奈米放量奪得先機。

台積電2奈米首度導入GAAFET技術，解決FinFET（鰭式場效電晶體）功耗瓶頸發揮重要作用。透過全新電晶體架構設計，GAAFET有效降低電晶體的開關損耗，同時保持高性能表現。

針對未來1奈米以下的製程極限，台積電已展開CFET（Complementary FET）元件的研發計畫，透過垂直堆疊通道結構實現更高的晶片密度與效能，台積電於IEDM 2024曝光CFET架構，達到Gate Pitch（電晶體閘極長度）為48nm的實際結構。

相關供應鏈透露，目前在AI/HPC之邏輯晶片多為系統單晶片（SoC），未來SoC可能會被系統整合單晶片（SoIC）取代，而附屬功能就不需要用到2奈米或以下的高階製程，以Chiplet（小晶片）、先進封裝方式達成；未來半導體技術難度愈來愈高，成長動能主要會來自結構複雜化。

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