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美光推第二代HBM3記憶體 下單台積電
在各家業者搶攻AI市場之際，美光也不落人後，近日推出第二代HBM3 DRAM記憶體，不僅記憶體容量更大且運算速度更快，可望滿足大規模語言模型（LLM）的運算需求。
業界人士透露，因應人工智慧及生成式AI趨勢，美光將在台投入HBM3 Gen2先進封裝研發及製造，已積極與台積電密切合作，未來將在台加速量產並交貨給客戶NVIDIA。
美光表示第二代HBM3 DRAM記憶體的樣品已在近日出貨給少數客戶。研究機構TIRIAS Research估計若客戶端測試順利，內建美光第二代HBM3 DRAM記憶體的CPU及GPU最快將在今年底或明年初問世。
回顧2013年美光首度推出HBM記憶體至今已過10年，這段期間雲端市場快速起飛，不斷提高資料中心的運算需求。生成式AI問世以來，大規模語言模型的運算需求快速擴大，逐漸超越記憶體升級速度。
美光雖然落後其他同業1年左右才推出HBM3 DRAM記憶體，但這次可望靠第二代產品扳回一城。第二代HBM3 DRAM記憶體不僅容量擴大50％，性能也是上一代的2.5倍，運算速度也提升50％，有助縮短大規模語言模型的訓練時間。
美光上一代HBM3 DRAM記憶體已經廣泛應用在眾家晶片產品，包括超微、英特爾的CPU晶片，以及超微、英特爾、輝達的GPU晶片。超微針對AI市場最新推出的MI300X GPU晶片就是採用美光上一代HBM3 DRAM記憶體。
