HBM3e放量 今年底HBM投片量占先進製程比重35%

鉅亨網記者魏志豪 台北

研調機構 TrendForce 今 (20) 日表示，三大原廠開始增加資金投入，開始提高先進製程的投片，產能提升將集中在今年下半年，預期 1alpha 奈米 (含) 以上投片至年底將占 DRAM 總投片比重約 40%。其中，高寬頻記憶體 (HBM) 由於獲利表現佳，加上需求持續看增，年底估達 35%。

研調指出，HBM 受限良率僅約 50~60%，且晶圓面積相較 DRAM 產品，放大逾 60%，意即所占投片比重高，以各家 TSV 產能來看，至年底 HBM 將占先進製程比重 35%，其餘則用以生產 LPDDR5(X) 與 DDR5 產品。

以 HBM 最新發展進度來看，TrendForce 認為，今年 HBM3e 將是市場主流，集中在今年下半年出貨。目前 SK 海力士依舊是主要供應商，與美光 (MU-US) 均採用 1beta 奈米製程，兩家業者現已正式出貨給輝達 (NVDA-US)，三星則採用 1alpha 奈米製程，預期今年第二季完成驗證，並在年中開始交付。

除了 HBM 需求占比持續增加，PC、伺服器、智慧型手機三大應用單機搭載容量增長，故對於先進製程的消耗量也逐季提升，其中，又以伺服器的容量提升最高，主要受惠於單機搭載容量 1.75TB 的 AI 伺服器所帶動。隨著 Intel、AMD 新平台 Sapphire Rapids、Genoa 量產後，其記憶體規格僅能採用 DDR5，預期今年 DDR5 滲透率至年底將逾 50%。

此外，由於 HBM3e 出貨將集中在今年下半年，期間同屬記憶體需求旺季，DDR5 與 LPDDR5(X) 市場預期需求也將看增。但受到 2023 年虧損壓力影響，原廠產能擴張計劃也較謹慎。整體而言，在 HBM 投片比重擴大的情況下，將使得先進製程產出有限，下半年產能配置將是供給是否充足的關鍵。

目前新廠規畫如下，三星現有廠房 2024 年底產能大致滿載，新廠房 P4L 規劃於 2025 年完工，同時 Line15 廠區將進行製程轉換，由 1Y 奈米轉換至 1beta 奈米以上。

SK 海力士除了 M16 明年產能預計擴大，M15X 同樣也規劃於 2025 年完工，並於明年底量產。美光台灣廠區將於明年恢復至滿載，後續產能擴張將以美國廠為主，Boise 廠區預期於 2025 年完工並陸續移機，並計劃於 2026 年量產。

TrendForce 表示，儘管三大原廠的新廠將於 2025 年完工，但部分廠房後續的量產時程尚未有明確規劃，需依賴 2024 年的獲利，才得以持續擴大採購機台，此也進一步形成三大原廠堅守記憶體價格今年的漲勢。

此外，由於輝達 GB200 將在 2025 年放量，其規格為 HBM3e 192/384GB，預期 HBM 產出將接近翻倍，且緊接各原廠將迎來 HBM4 研發，若投資沒有明顯擴大，因各家產能規劃皆以 HBM 為優先，在產能排擠的效應之下，DRAM 產品恐有供應不及的可能性。

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