HBM需求 三星:將年增逾1倍

科技業對消費性電子反映終端應用預估保守,AI應用面則展現強勁需求,三星電子預估2025年全球對高頻寬記憶體(HBM)需求,將年增逾1倍,美光稍早也指出,2024年及2025年的HBM產能已銷售一空。

外資券商摩根士丹利先前預測,AI需求相對仍強勁,但因傳統終端市場疲軟,致記憶體價格下滑,第四季記憶體行情更具挑戰,大摩預期恐於2025年出現趨勢逆轉,DRAM將一路供過於求至2026年。

三星電子依舊看好AI浪潮推動HBM需求大漲,預期明年全球需求增加1倍至250億GB,HBM占整體DRAM銷售比重達28%,高於今年的16%;客製化AI記憶體市場總容量在2028年達到2,294億GB,較去年大增16倍。預測從2024~2029年,伺服器DRAM需求將以年均27%的速度成長,2024~2027年達58%。

另美光已開始送樣HBM3E 12-high 36GB產品,2025年第一季將大量生產並交貨。在HBM4的部分,HBM消耗的DRAM片數將持續增加,只要HBM的性能持續超過DRAM,每片消耗的DRAM片數就會續增。

美光上調2025年HBM整體市場規模至250億美元,如美光在HBM上能達成與在DRAM市場相同市占,2025年HBM營收將達60億美元水準。

投資顧問機構Bain & Co.預期2026年HBM需求將較去年成長60%至65%,NAND Flash需求將較去年成長30%至35%。

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