HBM產能排擠，TrendForce預期DRAM產品未來恐面臨供不應求

【財訊快報／記者李純君報導】市調單位TrendForce提到，至年底HBM將占先進製程比重35%，而三大原廠雖有新廠會在明年完工，但後續擴產進度均尚未有明確規劃，而考量各家產出均以HBM為優先的前提之下，DRAM產品恐有供應不及的可能性。繼記憶體合約價翻揚後，三大原廠開始提高先進製程的投片，預計自今年下半年起產能將開始增加，而1alpha 奈米（含）以上投片至年底將占DRAM總投片比重約40%。尤其，以各家TSV產能來看，到今年底HBM將占先進製程比重35%，其餘則用以生產LPDDR5(X)與DDR5產品。

至於三大國際原廠後續的新廠規畫，三星現有廠房2024年底產能大致滿載，新廠房P4L規劃於2025年完工，同時Line15廠區將進行製程轉換，由1Y奈米轉換至1beta奈米以上。SK海力士除了M16明年產能預計擴大，M15X同樣亦規劃於2025年完工，並於明年底量產。美光台灣廠區將於明年恢復至滿載，後續產能擴張將以美國廠為主，Boise廠區預期於2025年完工並陸續移機，並計劃於2026年量產。

TrendForce表示，儘管三大原廠的新廠將於2025年完工，但部分廠房後續的量產時程尚未有明確規劃，需依賴2024年的獲利，才得以持續擴大採購機台，此也進一步形成三大原廠堅守記憶體價格今年的漲勢。

此外，由於NVIDIA GB200將於2025年放量，其規格為HBM3e 192/384GB，預期HBM產出將接近翻倍，且緊接各原廠將迎來HBM4研發，若投資沒有明顯擴大，因各家產能規劃皆以HBM為優先，在產能排擠的效應之下，TrendForce點出，後續DRAM產品恐有供應不及的可能性。