方略稱，碳化矽基板價下降有助應用面開拓，8吋廠製程和設備均具優勢

【財訊快報／記者李純君報導】世界先進董座方略今日宣布，未來在化合物半導體端不會缺席，氮化鎵（GaN）今年量產，碳化矽（SiC）基板價格下降，應用會更廣，且自家的8吋設備和製程會在第三代半導體中佔據優勢，這會是世界先進下一個30年的轉型策略之一。方略提到，世界先進在電源管理晶片端是代工廠的領導廠商，但在未來的化合物半導體市場不會缺席，氮化鎵已經運作了7~8年，今年量產，至於碳化矽方面，基板價格往下降，會讓應用面更廣闊，世界先進也在碳化矽部分，今年簽下一個策略夥伴，用世界先進的8吋廠來發展，整體來說，世界先進在第三代半導體的佈局和發展，是轉型策略的一環，也是公司往下30年的走向之一。

他進一步點出，最近在傳出砍價、降價的部分，是在碳化矽的基板端，大陸砍價激烈的部分也是碳化矽的基板，至於製程端做生產代工的，包含大陸廠商，都沒有降價。

方略表示，碳化矽成本很高，最大原因是基板很貴，現在產能過剩也是在基板，基板佔很高的成本，碳化矽目前也沒有8吋的應用，現在基板價格降下來，但晶圓廠的生產製造並沒有降價。而因為碳化矽的基板大降價，方略透露，此舉，讓成本下降，反而讓運用面更廣泛，對世界先進來說更有利，因為可以買到更便宜的基板來製造代工生產。

最後，方略也坦言，8吋晶圓代工廠在CMOS技術和設備是落後的，和12吋廠競爭是沒有優勢而且辛苦，而且製程能力是落後的，但化合物半導體過去都是4吋、5吋、6吋，拿8吋廠的製程設備和技術，與這些4吋、5吋、6吋的化合物半導體廠競爭，8吋廠不論技術或設備都更勝一籌，而且短期內也看不到12吋廠會跨入，因此對世界先進這類8吋廠來說，進入第三代半導體反而是更具競爭優勢的。