傳台積電2奈米良率提高6% 可節省數十億美元

台積電(2330)預計將於明年下半年開始使用2奈米製程,根據外媒tomshardware報導,根據台積電內部消息指出,團隊已成功將測試晶片良率提高6%,可替客戶省下數十億美元。

報導指出,根據一名自稱金博士的台積電員工,並未透露台積電是否提高了SRAM測試晶片或邏輯測試晶片的良率。不過台積電將於明年1月才開始提供2奈米技術的穿梭測試晶圓服務,不太可能提高最終採用2奈米製造的實際晶片原型的產量。

提高SRAM(靜態隨機存取記憶體)和邏輯測試晶片的良率確實非常重要,因為它可以為客戶節省大量成本,從更高的良率中受益。

台積電的2奈米製程將是該公司第一個使用環柵 (GAA) 奈米片電晶體的製造工藝,預計將大幅降低功耗、提高性能和電晶體密度。特別是,台積電的GAA奈米片電晶體不僅比3nm FinFET電晶體更小,而且透過提供改進的靜電控制和減少洩漏而不影響性能,可以實現更小的高密度SRAM位元單元。他們的設計增強了閾值電壓調節,確保可靠運作並允許邏輯電晶體和SRAM單元進一步小型化。然而,台積電必須學習如何生產具有良好產量的全新電晶體。

在相同的電晶體數量和頻率下,使用2奈米製程製造的晶片預計比使用N3E製程的晶片多消耗25%~30%的功耗,在相同的電晶體數量和功率下提供10%至15%的性能改進,並且與N3E製造的半導體相比,電晶體密度增加了15%,同時保持相同的速度和功率。

台積電預計將於2025年下半年(可能是2025年末),開始採用N2製造製程大規模生產晶片。

(封面圖/東森新聞)

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