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需求轉弱「庫存難去化」！美光、鎧俠下調產能 記憶體廠罕見減產因應
根據研調機構TrendForce調查顯示，自2021年第四季起，受部分消費性電子需求走弱影響，導致記憶體價格進入下跌走勢，加上高通膨、俄烏戰事與防疫封控的衝擊，旺季不旺，致使庫存壓力已由買方端延伸至原廠。
記憶體晶片市場景氣更低迷，美光（Micron）上周已宣告減產動態隨機存取記憶體（DRAM）與儲存型快閃記憶體（NAND Flash），是首家正式下調產能利用率的記憶體大廠。
TrendForce表示，NAND Flash市況相較DRAM更嚴峻，隨著主流容量晶圓（wafer）合約均價已跌至現金成本，逼近各原廠虧損邊緣，鎧俠（Kioxia）繼美光後也公告，自10月起減少NAND Flash產能利用率達30%。
個別分析來看，DRAM方面，目前合約價格仍高過於各主流供應商的總生產成本，因此與NAND Flash相較，尚待觀察是否會有大幅減產的情形出現。
美光除了提及當前在該領域有微幅下調產能利用率外，主要強調2023年度資本支出的大幅下修，以及明年度DRAM生產位元年成長僅有約5%。TrendForce認為，照美光說法，要達到如此保守的位元成長，代表產能利用率還有大幅下修空間，後續減產的執行程度仍待觀察。
NAND Flash方面，美光原定自今年第四季起逐步放大232層產品比重，然隨著調降產能利用率決策落實，預估2023年美光主流製程仍會以176層為主，同時舊製程投片也將隨之減少。
鎧俠及威騰電子（WDC）原計畫在今年第四季起轉進至162層產品，然由於威騰對2023年資本支出表露放緩態度，在資金難以到位且需求能見度差的情況下，將大幅降低162層產品比重，無法達成原先於2023年取代112層產品成為主流的計畫。
不排除更多原廠限縮位元產出，大規模減產才能扭轉2023年供需劣勢
TrendForce強調，從2023年記憶體供需態勢分析，由於需求展望保守，因此DRAM與NAND Flash在各季度皆呈現大幅度供過於求狀態，2023上半年的庫存壓力將持續快速升高。
DRAM領域，在美光率先宣布DRAM減產規劃將遠低於供給位元成長的歷史水位後，2023全年DRAM供過於求比例（Sufficiency Ratio）將由TrendForce原先預估的11.6%，收斂至低於10%，有助於改善快速惡化的庫存壓力，不過後續仍仰賴更多供應商加入DRAM實質減產行為，才能扭轉明年供需劣勢。
至於NAND Flash領域，由於競爭者眾多，且製造方面未有逼近物理極限的限制，故收斂供給位元是當務之急。
TrendForce認為，在美光、鎧俠供給位元成長皆下修的情況下，2023全年NAND Flash供過於求比例將由原先預估的10.1%，大幅下降至5.6%，更多NAND Flash供應商在虧損考量加入減產行列的預期下，庫存壓力可望在2023年第二季有所緩解，而價格跌幅預計在2023下半年出現收斂。
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Yahoo財經特派記者 楊絡懸：專訪過台積電董娘張淑芬的藝術公益、側寫過英國前首相梅伊的政經脈動。相信不論是企業大老闆、小人物或社會角落，都有值得被記錄的故事，期盼透過深度和廣度的觀察力，帶來最宏觀的專業報導。
