《興櫃股》功率半導體晶圓薄化需求爆發，昇陽半H2營收逐季揚
【時報-台北電】金氧半場效電晶體（MOSFET）及絕緣閘雙極電晶體（IGBT）等功率半導體的應用愈來愈廣泛，不僅3C產品、變速馬達、LED照明、變頻家電等應用多元，電動車及高鐵、4G/5G基地台、資料中心等需求也是成長快速。為了有效降低功耗及電力耗損，晶圓薄化關鍵製程更顯重要，昇陽半 （8028） 在IDM廠擴大下單包產能情況下，法人看好營收逐季創新高到年底，下半年旺季可期。
近年來MOSFET及IGBT的應用愈來愈廣泛，主要是系統廠開始關注到降功耗及節省消耗電力的問題。除了智慧型手機及筆記型電腦等3C產品需要更低耗電，被大量應用在各式電子產品中的變速馬達，也導入新一代功率半導體來降低耗電。再者．隨著網路高速存取及資料交換等大數據應用成為日常生活不可或缺地位，資料中心、4G/5G基地台等基礎建設也大量導入MOSFET及IGBT來提升電力效率。
隨著MOSFET及IGBT的需求快速增加，昇陽半的晶圓薄化技術受到業界重視。事實上，晶圓薄化是半導體製程的中段，昇陽半專精於功率半導體的晶圓背面薄化，主要客戶包括英飛凌等國際IDM大廠。
由於MOSFET及IGBT的製程中晶圓背面薄化是關鍵製程，昇陽半承接不少IDM廠委外代工訂單，技術上已可提供8吋晶圓薄化至50微米並進入量產，與一般功率半導體晶圓薄化仍在80～100微米情況相較，昇陽半技術明顯領先同業。
包括MOSFET或IGBT等功率半導體的製程中，薄層金屬化及晶圓背面製程步驟十分重要，其中關鍵製程就是晶圓薄化，因為功率元件的厚度對其效能有很大影響。業者分析，功率元件會出現垂直電流，由前端載入電流後通過至後端，為了達到效能最佳化，功率元件的厚度十分重要，因為多餘的厚度都可能造成順向飽和電壓增加，或出現截流損耗等情況，而這兩項正好是IGBT是否達到最佳效能的重要指標。
昇陽半第一季合併營收達4.63億元，毛利率達31.2％，稅後淨利0.37億元，每股淨利0.32元，符合市場預期。第二季以來受惠於功率半導體及微機電（MEMS）等需求成長，5月合併營收月增12.9％達1.86億元，較去年同期成長15.7％，創下單月營收歷史新高，下半年營運樂觀看待。（新聞來源：工商時報─涂志豪／台北報導）
