《產業分析》氮化鎵「錢」景亮 穩懋、環宇-KY加速印鈔
【時報記者張漢綺台北報導】車用電子、電動車滲透率逐年提升,且5G正式商轉帶旺高頻晶片需求,氮化鎵「錢」景亮,國內半導體廠多已將氮化鎵列為重點發展業務,砷化鎵—穩懋(3105)、環宇-KY(4991)與晶成半導體,宏捷科(8086)鎖定RF領域積極開發產品,其中穩懋以5G市場為主的GaN-on-SiC晶圓累積上半年營收已接近去年全年水準,環宇-KY提供應用於基地台RF的4吋及6吋GaN-on-Si,以及4吋GaN-on-SiC晶圓代工服務,晶成除磊晶業務,亦將提供6吋Gan-on-Si晶圓代工服務,宏捷科在中美晶(5483)協助下,預計2022年第1季會有產品認證。 至於IET-KY(4971) (英特磊)已取得美國能源部合約,目前氮化鎵(GaN)機台已組裝完成試機中,預計9月開始試產,明年氮化鎵營收占比將低於10%。 穩懋及環宇-KY可說是國內最早跨入RF氮化鎵代工的廠商,10年前已投入氮化鎵相關技術研發,其中穩懋已開始量產應用於RF的6吋GaN-on-SiC晶圓,在GaN-on-SiC居領先地位。 穩懋總經理陳國樺表示,由於氮化鎵製程的特殊性,氮化鎵產線與砷化鎵無法完全共用,因此需要獨立的高溫退火設備,電漿蝕刻系統與研磨等設備才能使元件滿足客戶需求,過去幾年,我們有一條獨立的4吋氮化鎵生產設備和產線,且為因應元件特性,氮化鎵與碳化矽基板材料間的特殊性,相對應的製程原理的不同,我們還組成一個由國內外人材組成的氮化鎵研發團隊,專職負責開發氮化鎵元件和和製程研究,同時申請經濟部科專計畫的支持,讓我們能夠成功發展0.45~0.15微米柵極氮化鎵元件上,未來還是不斷的精進元件特性,希望穩懋的氮化鎵元件技術能廣泛應用之5G基地台、衛星通訊與點對點功率放大器的市場。 穩懋現有氮化鎵月產能為500片,受惠於5G需求強勁,穩懋以5G市場為主的GaN-on-SiC晶圓累積上半年營收已接近去年全年水準,隨著市場需求高速成長,預估營收將進一步攀升。 環宇-KY因美國民間航空及國防工業廠商相關設計公司需要代工,又不願意在IDM廠做,而環宇-KY是美國唯一的晶圓代工廠,因而有機會與設計公司合作開發氮化鎵產品,經過長達7年的努力,3年前才開始有訂單量產出貨。 目前環宇-KY美國廠產能以4吋為主,但公司亦透過設備載具更換,將部分產能轉為6吋,提供應用於基地台RF的4吋、6吋GaN-on-Si 及4吋GaN-on-SiC晶圓代工服務,預估9月GaN-on-SiC即可在美國出貨,目前氮化鎵月產能約300片到400片;而公司也入股擁有6吋廠的晶成半導體,希望透過垂直整合,一方面擴大產品線及產能,另一方面避開中美貿易紛爭。 在晶成半導體部分,目前晶成較專注於GaN-on-Si的技術,主要原因是優質碳化矽基板不容易大量取得,也因碳化矽基板價格相對高很多(一般為矽基板的30-100倍),終端客戶在中低端的應用較難展開,現在已有約10家客戶在GaN-on-Si和晶成業務合作,並進行認證中,預計年底就可以試產出貨。 由於晶成半導體傳承晶電20多年技術經驗,包括:從最基礎的材料知識、磊晶技術與製程量產技術等,具有從磊晶到晶粒製程一條龍的製程技術平台,相較於其他競爭對手,晶成半導體有較高的技術優勢與整合優勢,以前述的異質磊晶技術為例,晶成半導體在應力控制上有獨到的心法,因為藍光LED所使用的磊晶片本身就是異質磊晶,晶成半導體對於氮化鎵材料特性的了解,所累積下來的製程經驗及對應的專利佈局也相對優於其他競爭廠商。 目前晶成半導體已建置6吋月產能2000片,無塵室最大設備產能可達6000片,在攜手環宇-KY後,晶成半導體亦可望跨入氮化鎵磊晶市場,進一步強化競爭優勢。