工研院與台積電合作開發SOT-MRAM元件 搶攻高速運算領域商機

經濟部長期以來科專計畫補助工研院建立深厚的前瞻記憶體研發能量，與晶圓製造龍頭台積電合作，雙方攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque MRAM；SOT-MRAM）陣列晶片搭配創新的運算架構，適用於記憶體內運算，且功耗僅為STT-MRAM的百分之一，成果領先國際，並在全球微電子元件領域頂尖會議之「國際電子元件會議」（International Electron Devices Meeting；IEDM）共同發表論文，展現次世代記憶體技術的研發能量，維持臺灣半導體在全球產業不可或缺的地位。

經濟部產業技術司表示，隨著 AI 人工智慧、5G與AIoT時代的來臨，需要快速處理大量資料，因此更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為重要的關鍵。經濟部支持產業與相關法人建立深厚的前瞻記憶體研發能量，期待技術成果可以逐步在產業落實。這次藉由工研院與台積電雙方共同合作，強強聯手，發表重要研發成果，來引領產業加速躋身下世代記憶體技術領先群，維持臺灣半導體的國際競爭優勢。

工研院電子與光電系統所所長張世杰指出，工研院和台積電繼去年在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）共同發表論文之後，今年更開發出兼具低功耗、10奈秒（nanoseconds；ns）高速工作等優點之SOT-MRAM單元，並結合電路設計完成記憶體內運算技術，進一步提升運算效能，跳脫了MRAM已往以記憶體為主的應用情境，雙方將研發成果共同發表在IEDM 2023。未來此技術可應用於高效能運算（High Performance Computing；HPC）、AI人工智慧及車用晶片等。

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