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加速HBM商業化腳步 SK海力士 月底量產12層HBM3E
為搶攻輝達（NVIDIA）B200／B200A商機，SK海力士社長金柱善Kim Ju-Seon（Justin Kim）4日在台指出，SK海力士聚焦於高頻寬記憶體（HBM）生產，以通過質量驗證，縮短產品上市時間，他並宣布，將於本月底量產12層HBM3E，加速HBM商業化腳步。
輝達執行長黃仁勳日前表示，次代GPU代號Rubin採HBM4將於2026年推出。全球記憶體原廠中，SK海力士搶先布局，金柱善指出，HBM4是首款基於基礎裸晶（Base die）的產品，以SK海力士先進的HBM技術搭配台積電先進代工技術，將按照客戶需求進行量產時程。
金柱善受邀來台，並進行專題演講，他提到，AI現在面臨包括電力、冷卻和記憶體頻寬需求等挑戰，其中，最大挑戰是電力短缺，預期資料中心所需電力，將是目前的兩倍，只靠可再生能源，將難以滿足需求。電力增加，也會帶來熱，因此，需要找到更高效散熱的方式。
為了推動AI技術邁向通用人工智慧（AGI），需先解決包括功耗、散熱及記憶體頻寬等核心技術。SK海力士正努力開發能效更高、功耗更低、容量更大的AI記憶體，並針對不同應用推出相對應解決方案。
SK海力士是最早生產8層HBM3E的供應商，並將在本月底開始大規模生產12層HBM3E。至於下一世代的HBM4，據稱將會開始採用台積電的先進邏輯（Logic）製程，以超細微製程基礎裸片（base die），增加更多的功能，SK海力士也能在性能和功效等方面，滿足客戶的客製化（Customized）需求。
SK海力士已在韓國龍仁市擴建新廠，預計2027年新廠將進行量產，使龍仁聚落成為最大、最先進的半導體聚落之一；同時，SK海力士計劃至美國印第安納州進行投資，2028年營運新廠，聚焦HBM先進封裝技術。
