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三星四代HBM晶片 未通過輝達測試
外媒引述知情人士說法，三星電子最新的高頻寬記憶體（HBM）晶片因過熱和耗能問題，未能通過輝達（Nvidia）用在人工智慧（AI）處理器的測試。這款晶片是第四代HBM，多用在AI圖形處理單元（GPU），該公司及同業競爭正著手準備生產第五代HBM3E晶片，預計年內上市。
三星發表聲明表示，拒絕對特定客戶評論，並解釋HBM是一款客製化記憶體產品，需要「根據客戶的需求進行優化」，強調其正與客戶密切合作，且產品正在按計劃進行。
輝達占據全球AI應用的GPU市場8成左右，因此對HBM製造商來說是未來成長關鍵，攸關其名聲和獲利能力。
消息人士指出，三星自去年以來持續在努力通過輝達對HBM3和HBM3E的測試。據兩位知情人士透露，近期三星8層堆疊和12層HBM3E晶片的失敗測試結果，已在4月公布。
由於未能滿足輝達的要求，意即三星可能會因此進一步落後競爭對手SK海力士和美光科技，因此引發市場關注。
SK海力士為輝達HBM晶片的主要供應商，並從自2022年6月以來長期供應HBM3。該公司在3月底開始向一位匿名客戶供應HBM3E產品，據了解，出貨對象正是輝達。而另一家HBM主要大廠美光也表示將向輝達提供HBM3E。
市場認為，三星本周半導體事業換帥，顯示其在HBM競賽中處於落後，需要一位全新高層來應對「危機」。
分析師也表示，2013年開發出首款HBM晶片的SK海力士，在過去十年裡投入相關研發的時間和資源遠超過於三星，因此占據技術優勢。而三星在2015年才開始啟動相關投資。
另一方面，KB證券研究主管Jeff Kim表示，三星身為全球記憶體晶片龍頭，市場對其是否能迅速通過輝達的測試抱有很高的期望，然而像HBM這樣的專業性產品，需要一段時間才能滿足客戶的需求，也是相當常見。
