《科技》美光躍AI明星股 股價飆漲

【時報-台北電】記憶體大廠美光預計6月26日公布季報,自美光的高頻寬記憶體(HBM)開始供貨給輝達後,已化身為AI明星股,年初至今,美光股價大漲近七成,市值大增636.26億美元,至1,545.22億美元。

市場分析師預期,美光經營層將大談需求改善、行業供應緊張、價格進一步上揚,以及他們供應給輝達和其他AI晶片廠商的HBM,下一世代的發展,提出對後市正向的看法。

由於AI應用的需求,人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增,且記憶體市場通常存在「FOMO」(Fear of missing out)現象,意思是「害怕錯失機會」,在美光等大廠持續鼓吹下,追漲的可能性上升。

市場分析師預估,2025年和2026年美光每股稅後純益(EPS),有可能達到20美元,其中,HBM將帶來3美元的直接影響。另外,HBM的供應吃緊情況,可驅動DRAM的價格上漲,進一步推升美光營收。

美光因HBM受到市場矚目,但根據法人調查,矽穿孔(TSV)為現有HBM3E供應商的主要瓶頸,市場領導廠商海力士(SK Hynix)的TSV良率約為60%,HBM3E生產的總良率約為50%,對應前一代HBM3時,SK Hynix的總良率超過70%。

美光良率相對落後,可能在40%左右,三星TSV良率則較佳,約在60%左右,但三星關鍵問題是散熱,導致認證周期較長。

三星已獲得輝達有條件的小批量出貨批准,但散熱問題仍在,市場普遍認為,三星獲得輝達認證過關只是時間問題,但進展似乎比預期要略晚一些。

根據研調機構調查,由於目前8hi HBM3E的良率較低,且2025年將提升至12hi,預計HBM3E供應將保持緊張,即使三星進入該市場,但價格仍呈上漲趨勢(預估2025年上漲5%~10%)。長期而言,預計HBM市場規模在2024年至2026年期間的複合年增長率將達到95%。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍/台北報導)