記憶體廠增TSV產能，引發明年HBM供給過剩擔憂，然HBM3e 12hi量產有難度

財訊快報

【財訊快報／記者李純君報導】因部分DRAM供應商積極增加矽穿孔(Through-Silicon Via, TSV)製程產能，市場開始傳出，2025年HBM可能供過於求，甚至可能導致供過於求與價格下滑，對此，市調單位TrendForce認為，目前尚難判斷，並維持對明年HBM產業論調。近期市場對於2025年HBM可能供過於求的擔憂加劇，但TrendForce表示，由於明年廠商能否依照期望大量轉進HBM3e仍是未知數，加上量產HBM3e 12hi的學習曲線長，目前尚難判定是否會出現產能過剩態勢。

TrendForce也提到，對DRAM產業展望維持不變，預估2025年HBM將可貢獻10%的DRAM總位元產出，較2024年成長一倍。由於HBM平均單價高，估計對DRAM產業總市值的貢獻度將突破30%。

Samsung、SK hynix與Micron已分別於2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處於持續驗證階段。其中SK hynix與Micron進度較快，有望於今年底完成驗證。

市場傳出因部分DRAM供應商積極增加矽穿孔，恐導致2025出現供過於求，而根據兩家韓系DRAM廠商目前的TSV產能提升計畫，Samsung將從2024年底的單月12萬片至2025年底增加為單月17萬片，提升幅度超過40%，而SK hynix在同期的月產能提升比例預估為25%。但由於廠商產品尚未完全通過驗證，產能提升規劃是否能落實有待觀察。

TrendForce表示，從過去HBM3與HBM3e世代的量產歷程來看，當時8hi產品的良率至少歷經兩個季度的學習曲線才達到穩定，有鑑於此，當市場需求快速轉向HBM3e 12hi產品時，推測學習曲線也無法明顯縮短。此外，NVIDIA B200、GB200和AMD MI325、MI350都將採用HBM3e 12hi，由於整機造價高昂，對HBM的穩定度要求將更嚴苛，成為HBM3e 12hi量產過程的一項變數。

TrendForce預估，受AI平台積極搭載新世代HBM產品帶動，2025年的HBM需求位元將有逾80%落在HBM3e世代產品上，其中12hi的占比將超過一半，成為明年下半年AI主要競爭廠商爭相下訂的主流產品，其次則是8hi。因此，即便出現供過於求情況，推測最有可能發生在HBM2e、HBM3等舊世代產品上，至於對各DRAM供應商的影響程度，將取決於各家的產品組合。

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