聯電、英特爾合作開發12奈米製程平台 擬2027年投產

聯電（2303）和英特爾今（25）日共同宣佈，雙方將合作開發12奈米製程平台，以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長，新的製程將在亞利桑那州開發、製造，並預計在2027年投產。

聯電表示，此項12奈米製程將善用英特爾位於美國的大規模製造能力和FinFET電晶體設計經驗，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的強大組合。受惠於聯電在製程上的領導地位，以及為客戶提供PDK及設計支援方面的數十年經驗，得以更有效地提供晶圓代工服務。

新的製程將在英特爾位於美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠進行開發和製造，透過運用晶圓廠的現有設備將可大幅降低前期投資，並最佳化利用率。

雙方將透過生態系合作夥伴提供的電子設計自動化（EDA）和智慧財產權（IP）解決方案，合作支援12奈米製程的設計實現（design enablement）。此12奈米製程預計在2027年投入生產。

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