環球晶8吋SiC進展優於預期 徐秀蘭:2026年8吋出貨超過6吋

環球晶(6488)光電展聚焦於8吋碳化矽(SiC)晶體長晶技術、6吋與8吋SiC晶片的超薄加工能力,以及在氮化鎵(GaN)磊晶領域等具高附加價值的利基產品。董事長徐秀蘭表示,8吋碳化矽開發進度比預期快,明年上半年應可送樣認證,明年第四季小量出貨,2025年產能會快速上來,2026年8吋總出貨量會大於6吋。

環球晶在光電展展出8吋碳化矽(SiC)晶體長晶技術、6吋與8吋SiC晶片超薄加工能力,以及在氮化鎵(GaN)磊晶領域等具高附加價值的利基產品,董事長徐秀蘭預估,2026年8吋SiC總出貨量會大於6吋。(圖/記者呂俊儀攝)
環球晶在光電展展出8吋碳化矽(SiC)晶體長晶技術、6吋與8吋SiC晶片超薄加工能力,以及在氮化鎵(GaN)磊晶領域等具高附加價值的利基產品,董事長徐秀蘭預估,2026年8吋SiC總出貨量會大於6吋。(圖/記者呂俊儀攝)

針對矽晶圓市況,徐秀蘭指出,看到比較多客戶好的消息出來,不過客戶就算有需求出來還是會先把存貨銷低,不會立刻拉貨,目前狀態與第二季、第三季差不多,但有看到客戶存貨下降、營收上來,雖稼動率不見得拉上來,都以銷存貨優先,這樣可讓市場存貨可比較快回到對的水準,「現在趨勢是對的」。目前急單主要還是在化合物半導體。

而碳化矽方面,她進一步透露,目前需求主要來自車用IDM廠,產能配置規劃上,預計2025年開始,希望前段有兩個國家據點生產、後段也兩國,但研發仍會在台灣。

環球晶表示,碳化矽晶體需極高溫密閉環境下生長,長晶爐熱場設計及坩堝材質等因素增加了設備和操作的複雜性。公司自主設計開發碳化矽專用長晶爐,實現更高的材料品質控制,同時進一步降低長晶成本。克服碳化矽長晶技術困難,順利將碳化矽(SiC)長晶成功推進至8吋。

徐秀蘭補充說,8吋長晶是自己的長晶爐,設備擴中,現在切磨拋也開始做,但是實驗線非量產線,主要很多設備還沒進來,先挪用6吋機器,因此效率不是最佳。

良率表現上,徐秀蘭語帶保留,但透露長晶良率太好,有比50%高,但「怕被殺價」,現在產出雖爐數不夠多,自己做還可以有成長空間。

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環球晶強調,碳化矽高硬度與高脆性後續晶圓加工過程非常困難。由於晶圓加工先進技術,公司以更高的製程精度與更有效的晶圓處理方法成功實現碳化矽晶圓超薄加工,推出6吋90µm 及8吋350µm碳化矽超薄拋光晶圓。

環球晶也介紹,超薄碳化矽晶圓在輕量化、散熱性能、熱傳導、高頻率操作、元件微型化和材料成本等方面具有優勢,是高性能半導體元件的理想選擇。公司碳化矽晶圓包含4到6吋半絕緣晶片與6到8吋導電型碳化矽晶片。

另外,氮化鎵異質磊晶有晶格不匹配、應力和缺陷等問題,環球晶也成功推出全系列氮化鎵異質磊晶產品,包括矽基板、碳化矽基板和藍寶石基板等。

  • Yahoo財經特派記者 呂俊儀:資深財經媒體工作者,曾任採訪團隊主管,專訪過長榮集團創辦人張榮發、鴻海創辦人郭台銘,也歷經台積電創辦人張忠謀退休記者會等大事件,堅持產出最專業、富有洞見的新聞。