氮化鎵、碳化矽並進 台亞、積亞資本支出衝逾30億
台亞（2340）衝刺第三代半導體生產，包含台亞、積亞半導體在內，預計將投入逾30億元資本支出投入量產，其中台亞以矽基氮化鎵（GaN-on-Si）為主力，明年底小量出貨，積亞的碳化矽（SiC）預計2024年放量，兩路並進功率元件，台亞的氮化鎵營收挑戰營收占比達30％。
台亞22日舉行一年一度的法說會，總經理衣冠君對整體景氣保守，明年下半年才有回溫可能，景氣低迷之下，台亞對化合物半導體的投資毫不手軟，2023年台亞的資本支出將達16億元，擴建矽基氮化鎵無塵室及生產線，預計明年底小量出貨，中長期氮化鎵營收占比以30％以上為目標。
衣冠君強調，台亞是二岸唯一氮化鎵及碳化矽技術並進的公司，隨著氮化鎵成本的下降，未來氮化鎵、碳化矽在600伏至1,200伏的應用將有所競爭，1200伏以上的應用如卡車、重機械等將以碳化矽為主流。
台亞將碳化矽置於子公司積亞半導體，明年資本支出估與台亞相當，衣冠君表示，自從電動車大廠特斯拉（Tesla）在車內導入碳化矽之後，碳化矽在汽車電子的應用一炮而紅，積亞也瞄準汽車應用，積亞將於明年第二季導入生產設備，2023年底至2024年上半年之間正式投片，衣冠君預期，碳化矽在2024年可望放量。
國外半導體公司如意法半導體為IDM廠（整合元件製造商）的形式，衣冠君表示，台灣在半導體產業上有獨特地位，善於生產成本的控制，但是在研發設計上落後IDM廠，目前市場上汽車相關的半導體產能大缺，若IDM廠對外尋求氮化鎵、碳化矽的代工產能，台亞樂見這方面的合作。
至於擴產進度，衣冠君指出，台亞的6吋生產線近日已經引進第一台長晶爐，磊晶是整段製程的重中之重，若明年能取得8吋的生產設備，台亞也不排除6吋廠、8吋廠並進的方式跨足氮化鎵，明年視設備取得狀況，不排除再調高資本支出。
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