明年DRAM 冰火兩重天

李娟萍／台北報導
圖／本報資料照片
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根據研調機構TrendForce預估，2025年DRAM產業將形成高頻寬記憶體（HBM）與傳統DRAM，兩種截然不同價格走勢，前者是各季緩漲，後者各季緩跌。

全球雲端服務供應商（CSP）及大企業積極投資生成式AI，使得三星、SK海力士及美光等三大DRAM大廠，紛紛將研發與生產重心轉向HBM，也影響了傳統DRAM產能及價格。

TrendForce預期，2025年DRAM產業產值年增36.3％、位元出貨量年增24.7％、平均單價年增17.0％，三者皆呈雙位數成長。

就DRAM總體供需而言，2024年第四季到2025年第一季，呈現短暫供過於求後，至2025年第二季後，隨著客戶開始備貨，將轉為供不應求，主要動能來自HBM。

HBM在DRAM市場的滲透率將逐步提升，預估2025年第四季時，HBM滲透率約達10％。

2025年DRAM產值年增36.3％至1,247.16億美元，主要受惠HBM滲透率提升，HBM3E顆粒預計占2025年HBM的85％。

2025年DRAM平均售價年增率達17.0％；不過，DRAM平均售價上揚的動力，僅來自HBM產品，傳統DRAM平均售價，預估從第一季至第四季，皆呈現個位數字緩跌，其中，DDR5價格走勢，較DDR4價格波動小。

DRAM前三大廠積極備戰HBM市場，2025年將加快產線升級至1b奈米，主要供應HBM3E；2026 年將再往1c奈米邁進，主要供應最新產品HBM4。

由於HBM3E和DDR5產品為共同前段1b奈米製 程，因此，前三大廠在HBM3E的供應進度，將直接影響其對DDR5產品的供應能力，也將直接影響DDR5的價格走勢。

至於DDR3、DDR4等成熟產品價格走勢，則與消費性產品終端銷售、供應鏈庫存去化更直接相關。市場法人分析，若消費性市場需求好轉，2025年下半年成熟型記憶體行情，或有翻轉可能，但上半年應仍呈現供過於求的狀況。

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