日本半導體設備出口新制上路，不利中國半導體先進製程布局

【財訊快報／記者李純君報導】日本於對半導體產業物件出口的新管制23日正式實施，市調單位DIGITIMES研究中心預期，出口管制範圍以微影設備或涉及先進製程相關的薄膜沉積設備較可能執行管制，將不利中國半導體先進製程布局。日本於2023年3月公告修訂《外匯及對外貿易法》後，5月23日公告23項半導體設備出口管制措施，並將在7月23日正式實施。DIGITIMES研究中心觀察，日本出口管制範圍雖包含黃光、蝕刻、薄膜、熱處理、清洗、檢測等半導體重點製程，但以微影設備或涉及先進製程相關的薄膜沉積設備較可能執行管制，這將導致中國半導體在後續先進製程布局上明顯受到侷限。

由於中國自美、日、荷進口半導體設備金額佔比合計超過6成，因此，美國聯手日、荷將更有效牽制中國半導體產業發展。基此，美國與日本、荷蘭在2023年1月底達成半導體設備出口管制協議，並促使日本祭出半導體設備出口管制政策。

DIGITIMES研究中心點出，日本出口管制近半與薄膜製程設備有關，然該類設備牽涉製程廣泛，因此，先進製程部分沉積設備、應用在40奈米以下製程的原子層沉積(Atomic Layer Deposition；ALD)設備、多重曝光(multi-patterning)所需的硬質光罩沉積設備等產品將優先進行出口管控。

在微影設備出口管制部分，浸潤式DUV微影設備出口恐受影響；而日本無EUV微影設備，因此，管制將鎖定EUV光罩沉積設備、EUV製程塗布及顯影相關設備，以及檢測EUV設備的空白光罩或可曝光光罩的檢測設備等。

日本這項措施不只在EUV的周邊配套設備上對中國產生箝制的力量，目前日本是中國半導體設備的最大進口來源，佔中國的半導體設備進口金額的3成比重，這項管制措施被視為日本明確表態與美國、荷蘭站在同一陣營的表現。而在中國半導體設備進口中，除日本為最大宗外，美國佔比也高達16%，荷蘭佔比14%，其他區域佔比共計39%。