嚴管防漏 台積審查7奈米以下合約

美商務針對大陸半導體發展嚴加管制，11月初傳出台積電斷供大陸7奈米以下製程晶片，台積電積極進行自行查核，確保相關政策符合美國規範。據傳，台積電找來美國法務人員，針對現有合約進行全面審查，部分晶片業者產品批貨暫置（Hold Lot）。科技業者透露，儘管大陸已有應對方案，現階段大陸已可使用多重曝光技術做到7奈米，然而生產成本逼近台積電3奈米製程。

美國管制進一步收緊，據傳商務部正著手HBM、半導體設備等額外限制，各家業者嚴陣以待。自11月初傳出台積電停止出貨陸系業者7奈米以下，涉及AI訓練相關之先進製程晶片，而台積電現正進行更嚴格的審查，台廠部分IC公司晶片線上在製品（Wafer in process）受到擱置，靜待進一步釐清。

然而，科技業界指出，美國制裁成效不佳，尤其在成熟製程部分，陸系業者已經可以自製65奈米光刻機。據工信部「首套重大技術裝備推廣應用指導目錄」指出，國產光刻記可達光源193nm、分辨率≦65nm、套刻≦8nm，應可達NA（數值孔徑）0.82的KrF和NA 0.93的ArF兩種乾式光刻機，分別適用110nm和65nm級以上製程。

儘管看起來落後，但理論上以多重曝光方式已可以達到先進製程水準。業界之所以選擇在40奈米開始採用浸潤式深紫外光曝光機（DUV），是因為考量低階製程不值得用高成本的多重曝光，不過在制裁下別無選擇；大陸半導體產業已經步入正向循環，恐怕不是禁止台積電生產晶片這麼簡單。

按照工信部一貫作法，該光刻機恐怕已經不是最先進，一定程度上宣示大陸半導體產業自主。儘管目前先進製程部分仍遭卡脖子，但科技業者語重心長地提醒，大陸仍持續培養高階半導體人才，不容小覷。

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