工商時報

南亞科前11月營收 年增近2成

李娟萍/台北報導

南亞科(2408)11月自結合併營收21.87億元,月增0.23%,年減23.89%。累計前十一月合併營收319.26億元,較去年同期增加19.44%。

TrendForce預估,2025年DRAM產業將形成高頻寬記憶體(HBM)與傳統DRAM,兩種截然不同價格走勢,前者是各季緩漲,後者各季緩跌。

2025年DRAM平均售價年增率達17.0%,主要上揚的動力,僅來自HBM產品,傳統DRAM價格有下跌壓力,然DDR5展望較DDR4佳。

廣告

法人以近期DRAM價格觀察,因HBM排擠產能效應較預期弱,加上中國大陸記憶體廠持續擴增DRAM產能,使得原先預期2024年第四季持平或者上漲的DRAM合約價,反而有下跌壓力。

法人預期,南亞科消費型DRAM占營收比重約60~70%,2025年第一季DDR5貢獻比重將提升,然初期應用市場會在PC端,主要旺季仍將落在2025年的下半年,上半年營收占比仍以DDR3、DDR4為主。

更多工商時報報導
iPhone組裝將倍增 立訊大擴廠 叫陣鴻海、和碩
PCB業拚數位轉型 揪團打造資訊模型公版
訊連人臉辨識 明年貢獻營收

相關內容

DRAM明年資本支出年增率約14%,有助ASP維持高檔或續漲空間

【財訊快報/記者李純君報導】根據市調單位TrendForce公布的數據顯示,隨著記憶體平均銷售價格(ASP)持續提升,供應商獲利也有所增加之下,DRAM後續的資本支出將會持續上漲,2026年的資本支出年增率約14%。業界分析,有限制增加資本支出增加率,將有助於讓ASP持續維持在高檔,甚至有持續上漲的空間。DRAM產業的投資重心正逐漸轉變,從單純地擴充產能,轉向製程技術升級、高層數堆疊、混合鍵合以及HBM等高附加價值產品。而DRAM產業的資本支出在2025年預計將達到537億美元,預計在2026年進一步成長至613億美元,年增率達14%。在DRAM各供應商中,Micron美光被認為是最積極的廠商,其2026年資本支出預計達135億美元,年增23%,主要專注於1 gamma製程滲透和TSV設備建置。SK hynix海力士的增幅也十分顯著,2026年預計為205億美元,年增17%,以應對M15x的HBM4產能擴張。Samsung三星預計投入200億美元,年增11%,用於HBM的1C製程滲透及小幅增加P4L晶圓產能。TrendForce指出,目前在無塵室空間也有不足供應的情況,檢視所有DRAM

財訊快報 ・ 1 天前

《科技》記憶體產業明年資本支出略保守 位元產出成長挹注有限

【時報記者葉時安台北報導】根據TrendForce調查顯示,隨著記憶體平均銷售價格(ASP)持續提升,供應商獲利也有所增加之下,DRAM與NAND Flash後續的資本支出將會持續上漲,但對於2026年的位元產出成長的挹注有限。DRAM和NAND Flash產業的投資重心正逐漸轉變,從單純地擴充產能,轉向製程技術升級、高層數堆疊、混合鍵合以及HBM等高附加價值產品。 DRAM產業的資本支出在2025年預計將達到537億美元,預計在2026年進一步成長至613億美元,年增率達14%。NAND Flash部分,資本支出在2025年預計為211億美元,2026年預計小幅增長至222億美元,年增約5%。 在DRAM各供應商中,Micron美光被認為是最積極的廠商,其2026年資本支出預計達135億美元,年增23%,主要專注於1 gamma製程滲透和TSV設備建置。SK hynix海力士的增幅也十分顯著,2026年預計為205億美元,年增17%,以應對M15x的HBM4產能擴張。Samsung三星預計投入200億美元,年增11%,用於HBM的1C製程滲透及小幅增加P4L晶圓產能。 TrendFo

時報資訊 ・ 1 天前

長江存儲 武漢蓋第三廠 預計2027年投產

全球人工智慧(AI)基礎建設掀起新一波投資熱潮,中國大陸積極推動記憶體晶片自主化產業布局。除了DRAM與高頻寬記憶體(HBM)等AI關鍵元件之外,大陸記憶體大廠長江存儲宣布在武漢啟動第三座晶圓廠建設計畫,預定在2027年投產,顯示中國大陸正全力押注AI資料中心需求大爆發。

工商時報 ・ 1 天前
記憶體廠2026年資本支出年增11.6% 位元成長有限

記憶體廠2026年資本支出年增11.6% 位元成長有限

TrendForce 今 (13) 日指出,2026 年 DRAM 與 NAND Flash 供應商的資本支出合計將達 835 億美元,年增 11.6%,但整體位元產出成長仍有限。主要因 DRAM 和 NAND Flash 產業的投資重心正逐漸轉變,

鉅亨網 ・ 1 天前

《產業》記憶體產業 明年位元產出有限

【時報-台北電】記憶體平均銷售價格(ASP)走升、供應商獲利改善,DRAM與NAND Flash原廠在2026年,將持續增加資本支出,但仍顯保守,對於2026年位元產出成長挹注有限。 DRAM產業資本支出在2025年預估達537億美元,2026年成長至613億美元,年增率14%。 NAND Flash部分,2025年資本支出估為211億美元,2026年則小幅增長至222億美元,年增約5%。 TrendForce指出,美光在DRAM投資積極,2026年資本支出估135億美元、年增23%,主攻1-gamma製程導入以及TSV設備建置。 SK海力士2026年資本支出估205億美元、年增17%,用於M15x的HBM4擴產;三星2026年投入約200億美元、年增11%,聚焦HBM 1C製程滲透及P4L小幅增產。 NAND Flash供應商中,鎧俠/SanDisk預計投入45億美元,年增41%,加速BiCS8生產並投資BiCS9研發。 美光2026年目標是微幅增加NAND Flash產能並專注G9製程和enterprise SSD,預計資本支出年增幅達63%。 相較之下,三星和SK海力士/Soli

時報資訊 ・ 9 小時前
記憶體產業 明年位元產出有限

記憶體產業 明年位元產出有限

記憶體平均銷售價格(ASP)走升、供應商獲利改善,DRAM與NAND Flash原廠在2026年,將持續增加資本支出,但仍顯保守,對於2026年位元產出成長挹注有限。

工商時報 ・ 13 小時前

華邦電 10月營收年增逾34%

華邦電(2344)公布10月自結合併營收。華邦電含新唐科技等子公司,10月合併營收82.25億元,月增3.85%,年增34.88%;累計前十月合併營收710.06億元,年增2.88%。

工商時報 ・ 3 天前
記憶體產業明年資本支出仍保守 TrendForce:供不應求延續2026年全年

記憶體產業明年資本支出仍保守 TrendForce:供不應求延續2026年全年

根據研調機構集邦科技TrendForce調查,隨著記憶體平均銷售價格(ASP)持續提升,供應商獲利也有所增加之下,DRAM與NAND Flash後續的資本支出將會持續上漲,但對於2026年的位元產出成長的挹注有限,預估NAND Flash市場的供不應求狀態預計將延續2026年全年。

Yahoo奇摩股市 ・ 1 天前
DRAM價格狂飆 工業電腦網通廠成重災區

DRAM價格狂飆 工業電腦網通廠成重災區

DRAM價格狂飆,記憶體廠獲利喊嗨,但下游工業電腦(IPC)廠、網通廠卻意外成了受災戶,步步高的成本明顯壓縮獲利,估對相關廠商毛利率影響逾1個百分點,為因應成本拉高,雖已有業者著手醞釀漲勢,但市場憂心恐衝擊第三及第四季財報,從而拖累股價表現,相關類股漲少跌多,其中尤以遭調降目標價的啟碁(6285)傷最重,10日跌逾半根停板。

工商時報 ・ 3 天前

韓股衝高壓回收漲0.81%,DRAM雙雄三星和海力士表現給力

【財訊快報/陳孟朔】上日急漲約3%為半年來最旺,且在亞股稱王的韓國股市週二一度追高114.22點或2.8%至4,187.46點的日高,但在亞股普遍由盛轉衰的同時,綜合股價指數(KOSPI)多頭氣焰跟著消風,終場漲幅縮小至0.81%或33.15點,站回4,100點關口至4,106.39點,日低在4,066.58點。「雙電」電力天然氣和電子股為領頭羊,DRAM雙雄再度發威。其中,韓國最大供電商韓國電力雖然第三季營利表現不如預期,但投資人在油/氣/煤走弱與結構調整的框架下,先卡位「2026年前後現金流與獲利修復」的故事,股價收盤大漲7.14%至49,550韓元,帶旺電力天然氣飆高5.92%成了十九大類股的買氣中心。紡織成衣類股急漲4.89%排名第二,主流電子股追高2.29%為第三旺。但十九大類股有高達十三類下跌,食品飲料跌1.47%為最大賣壓中心。三星電子繼上日急漲3.90%後,再漲2.17%至10.35萬韓元,為三十檔大型股(KTOP30)第二旺個股;SK海力士續漲1.14%至61.9萬韓元為第四旺,繼上日抽高6.99%後,今日一度急漲5.6%至64.6萬韓元的日高暨26年新高。

財訊快報 ・ 3 天前

《台北股市》DRAM價格狂飆 工業電腦網通廠成重災區

【時報-台北電】DRAM價格狂飆,記憶體廠獲利喊嗨,但下游工業電腦(IPC)廠、網通廠卻意外成了受災戶,步步高的成本明顯壓縮獲利,估對相關廠商毛利率影響逾1個百分點,為因應成本拉高,雖已有業者著手醞釀漲勢,但市場憂心恐衝擊第三及第四季財報,從而拖累股價表現,相關類股漲少跌多,其中尤以遭調降目標價的啟碁(6285)傷最重,10日跌逾半根停板。 DRAM價格狂飆幾家歡樂幾家愁,繼南亞科、華邦電第三季告捷後,受害股也跟著浮出檯面。根據集邦科技(TrendForce)最新數據,2025年第三季DRAM合約價較去年同期暴漲171.8%,因成本驟增,災情已逐漸浮現,不單工業電腦龍頭研華直言,DDR4價格狂飆,已侵蝕上季毛利率1%;網通大廠合勤控甚至揚言,若DRAM報價續漲,對毛利率的影響恐擴大至4至5個百分點。 為降低成本壓力,工業電腦龍頭研華決定開第一槍,宣布調升部分產品價格,其中,板類產品漲幅約4%、系統產品則漲約8%,然因新價格對毛利率影響,須待一至兩個季度後才會顯現,第四季毛利率仍難免會受影響,顯示漲價救股價效益有限,致其股價開小高後收最低,300元關卡保衛戰迫在眉睫。 不單研華受累,其他

時報資訊 ・ 3 天前
創見股價過山車!5根漲停累漲68%後狂摔跌停 仍擋不住DRAM缺貨潮推動「EPS飆3.52元」

創見股價過山車!5根漲停累漲68%後狂摔跌停 仍擋不住DRAM缺貨潮推動「EPS飆3.52元」

[FTNN新聞網]記者陳献朋/綜合報導受惠於DRAM缺貨價格大漲,記憶體大廠創見(2451)最近股價表現優異,上週釋出的第三季亮眼財報帶出連7漲佳績,且連五日直攻...

FTNN新聞網 ・ 5 小時前
記憶體漲不停! DRAM顆粒現貨價飆過模組 NAND漲勢可望延續至下季

記憶體漲不停! DRAM顆粒現貨價飆過模組 NAND漲勢可望延續至下季

AI應用浪潮持續發酵,推動全球記憶體市場全面升溫。根據市調機構集邦科技(TrendForce)最新報告,DRAM與NAND Flash價格雙雙走揚,其中DRAM顆粒現貨價格首度超越模組價格,反映供應吃緊與惜售氛圍濃厚。隨著企業級SSD需求強勁,NAND漲勢預期將延續至明年第一季。

EBC東森財經新聞 ・ 2 天前

《熱門族群》記憶體買盤未歇!DRAM雙雄再創新天價

【時報-台北電】記憶體股買盤續熱,股價續攻高。DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)續創歷史新天價,下游模組廠創見(2451)、威剛(3260)亦再創新高價。早盤南亞科領軍,封測廠華東(8110)、南茂(8150)也再攀新高價。 記憶體股火熱的買盤未歇,今早以DRAM大廠南亞科(2408)帶量上攻領軍,南亞科目前是成交第六大量個股。 另外,旺宏(2337)、華東分居於第八大及第十大量之成交個股。華東再漲停續創新高最強勢。 記憶體缺貨帶動產品價格上揚,股價及人氣更旺,今早DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)再創歷史天價,下游模組廠創見(2451)、威剛(3260)也聯袂再創新高價。 記憶體族群持續火熱,除了製造廠南亞科再攀高以外,封測廠華東(8110)、南茂(8150)又強攻漲停,多頭續旺。 記憶體價格全面漲價,從DRAM漲勢,蔓延至NAND Flash、Nor Flash,擴散至SSD、硬碟等儲存裝置。 南茂(8150)法說會釋利多,第三季轉盈,預期第四季整體記憶體動能穩健,看好2026年記憶體是持續好的一年,股價再強攻漲停創本波新高。 華邦電(2344)受惠

時報資訊 ・ 1 天前

《熱門族群》記憶體股多殺多 創見關禁閉摜跌停 華邦下周二出關聚焦

【時報-台北電】美股周四自高點回檔重挫,美光利多不漲收跌3.25%,台股隨美股開低。先前最強勢的記憶體族群賣壓湧現,DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)開低,下游模組廠創見(2451)今起被「關禁閉」,股價自歷史高點回跌,盤中一度打到跌停失守200元。 記憶體股今早成交續熱,力積電(6770)、南亞科高居成交量第二及第三大,今早熱門股幾乎全回檔,僅封測廠南茂(8150)再攀本波新高價。 模組廠創見短期漲逾5成,遭列入注意股及處置股。創見處置期間為11月14日~11月27日。 封測廠華東(8110)短期大漲6成,也列入注意股及處置股。處置期間11月14日~11月27日。 之前最強勢的DRAM股華邦電處置至11月17日。下周二(18日)將出關,究竟是「愈關愈大尾,或是出關滑鐵盧」仍待市場決定。 記憶體股買盤一直熱,周四股價續攻高。DRAM雙雄南亞科、華邦電周四續創歷史新天價,下游模組廠創見、威剛亦再創新高價。 今早氣氛反轉,呈現多殺多,力積電、南亞科早盤下跌逾4%,但成交量第五名的南茂逆勢再創新高價。 旺宏(2337)成交量仍在前十,但開低走低,跌落短均5日線。 華東因被列處

時報資訊 ・ 7 小時前

《熱門族群》DRAM狂飆傷了誰?工業電腦、網通淚漣漣 啟碁近半根跌停

【時報-台北電】DRAM價格狂飆,記憶體廠獲利喊嗨,但下游工業電腦(IPC)廠、網通廠卻意外成了受災戶,步步高的成本明顯壓縮獲利,估對相關廠商毛利率影響逾一個百分點,為因應成本拉高,雖已有業者著手醞釀漲勢,但市場憂心恐衝擊第三季財報,從而拖累股價表現。不單工業電腦龍頭研華(2395)今日股價開高走低,即將面臨300元整數關卡保衛戰,其他網通廠包括合勤控(3704)、啟碁(6285)都一度翻黑,啟碁跌幅更一度擴大至近半根停板,致回測百元關卡壓力大增。 AI浪潮狂吹,部分記憶體現貨價格一夕數價,根據集邦科技(TrendForce)最新數據,2025年第3季DRAM合約價較去年同期暴漲171.8%,因成本驟增,災情已逐漸浮現,不單工業電腦龍頭研華直言,DDR4價格狂飆,已侵蝕上季毛利率1%;網通大廠合勤控甚至揚言,若DRAM報價續漲,對毛利率的影響恐擴大至4至5個百分點。 因影響甚鉅,漲價潮一觸即發,研華日前已開出第一槍,宣布調升部分產品價格,其中,板類產品漲幅約4%、系統產品則漲約8%,然因新價格對毛利率影響須等到一至兩季度後才會顯現,今年第四季毛利率仍難免會受影響。(新聞來源:工商即時

時報資訊 ・ 4 天前
5天衝了快40%!創見股價狂飆「炸出64萬巨量」200元大關指日可待

5天衝了快40%!創見股價狂飆「炸出64萬巨量」200元大關指日可待

[FTNN新聞網]記者陳献朋/綜合報導受惠於DRAM缺貨價格大漲,記憶體大廠創見(2451)最近股價表現搶眼,今(12)日股價再度直衝漲停,開盤後迅速往上飆升,短...

FTNN新聞網 ・ 2 天前

《台北股市》熱!力積電攻漲停 記憶體續旺 稱霸前二大量股

【時報-台北電】美光高檔回落,收跌4.8%,但擋不住記憶體火熱的買盤,今早以DRAM大廠南亞科(2408)股價回落,但力積電(6770)續滾量攻高。早盤力積電、旺宏(2337)高居成交量前二大個股,南亞科為第六大量股。 記憶體缺貨帶動產品價格上揚,股價及人氣更旺,今早DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)仍在歷史高檔整理,下游模組廠創見(2451)、威剛(3260)再創新高價。 力積電下半年營運將可改善,外資連2買共計買超73,060張,今早增量觸及漲停36.5元後打開。目前成交逾40萬張居第一。旺宏成交近30萬張居第二。 記憶體族群持續火熱,除了製造廠力積電、旺宏、南亞科以外,封測廠華東(8110)、南茂(8150)更強攻漲停。 記憶體價格全面漲價,從DRAM漲勢,蔓延至NAND Flash、Nor Flash,擴散至SSD、硬碟等儲存裝置。 南茂(8150)法說會釋利多,第三季轉盈,預期第四季整體記憶體動能穩健,看好2026年記憶體是持續好的一年,股價強攻漲停創本波新高。 華邦電(2344)受惠記憶體漲價優於預期,積極擴產挹注動能,不畏被列處置股,也在新高附近整理。 模

時報資訊 ・ 2 天前

《熱門族群》DRAM雙雄領軍創高 記憶體人氣爆棚!囊括前三成交量大股

【時報-台北電】記憶體缺貨帶動產品價格上揚,股價及人氣更旺,今早以DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)再創新高領軍,下游模組廠創見(2451)亦再創新高價。 記憶體族群火熱,旺宏、力積電(6770)、南亞科早盤為成交量大前三名個股,股價全都上漲,以旺宏漲幅最大。記憶體封測廠華東(8110)早盤成交量也高居第六名,股價續攻高。 另外,群聯(8299)受惠NAND Flash上漲,今明年獲利進補,股價續大漲再創新天價。 記憶體價格全面漲價,從DRAM漲勢,蔓延至NAND Flash、Nor Flash,擴散至SSD、硬碟等儲存裝置。據報導,SanDisk已在11月大幅調升NAND快閃記憶體合約價達50%,加上美光股價再飆漲逾6%創新高,為台系記憶體族群再添上攻柴火。 隨著美光大漲逾6%拉抬台廠亦再創新天價,DRAM雙雄同步沾光,南亞科(2408)早盤攻172.5元新天價。 華邦電(2344)受惠記憶體漲價優於預期,積極擴產挹注動能,不畏被列處置股,也再攻新高價。 旺宏(2337)旗下NAND Flash價格上漲,以及NOR Flash也擬調漲,帶量攻上40元之上,突破前高。盤

時報資訊 ・ 3 天前
記憶體資本支出仍保守 集邦:將出現結構性漲價

記憶體資本支出仍保守 集邦:將出現結構性漲價

根據市調機構集邦科技(TrendForce)最新報告指稱,儘管消費端需求疲弱,記憶體市場將因「AI伺服器需求強勁」與「供應商利潤導向的產能移轉策略」兩大動因,預計在2026年出現結構性價格上漲。

EBC東森財經新聞 ・ 1 天前