《半導體》漢磊私募 世界先進投資24.8億元取得13%股權 聯手攻碳化矽

【時報-台北電】漢磊(3707)公告公司與世界(5347)策略合作案。

漢磊(3707)董事會今(10)日宣布與世界先進簽訂策略合作協議，雙方將攜手合作，推動化合物半導體SiC(碳化矽)八吋晶圓的技術研發與生產製造，同時世界先進並策略投資參與漢磊科技公司私募普通股認購，投資金額新台幣24.8億元，以共同推動具競爭優勢的產品製造服務，建立雙方的長期策略合作關係。

漢磊辦理私募增資案，由世界先進認購5000萬股，投資24.8億元，取得13%股權。漢磊將於主管機關核准募資登記後，和世界先進展開合作。相關技術初期由漢磊轉移，預計2026下半年開始量產。

結合雙方的技術優勢和市場資源，漢磊及世界先進並將共同進行SiC技術研發、市場推廣，為客戶創造更大的價值；未來雙方亦將評估SiC技術研發及量產進度，進行更進一步的合作。

此次合作將專注於八吋SiC（碳化矽）半導體晶圓製造的技術開發及未來的量產，由於SiC的材料特性可以有效提升能源效率，特別在因應全球暖化的節能減碳趨勢下，其應用將普及到電動化車款(xEV)、AI資料中心、綠能儲能及工控甚至消費性產品等。

漢磊科技董事長徐建華表示，「漢磊集團旗下的嘉晶電子(3016)與世界先進長期以來即為矽磊晶事業合作夥伴，本次私募引進世界先進成為策略性股東，透過投資結合將使彼此間策略合作更趨緊密。漢磊與世界先進的合作將在漢磊現有六吋晶圓製造技術及客戶的基礎上，共同合作進行八吋SiC技術平台開發及產能佈建，以提供全球IDM及Fabless客戶具有長期競爭力的解決方案。本次策略合作可為世界先進、漢磊及嘉晶電子三方公司創造新的成長動能與合作綜效，並為客戶及股東權益創造更高價值。」

世界先進公司董事長方略表示：「世界先進公司與漢磊的策略夥伴關係將兩家公司的核心資源與優勢緊密結合，為雙方合作奠定互惠雙贏的堅實基礎。我們相信，憑藉公司領先的特殊積體電路製造專業，以及漢磊在化合物半導體領域的卓越技術，使公司基於現有的電源管理IC，分離式元件以及氮化鎵外，再導入碳化矽後，更能成為具備完整第三類化合物半導體的八吋晶圓廠，為拓展電源管理產品相關業務市場，提供從低功耗到高功率、從低頻到高頻操作，更加完整的電源管理技術平台，冀能為客戶的產品提供更具競爭力的全方位解決方案。此外，我們也期許透過與漢磊攜手研發創新綠能技術，為實現低碳永續的未來盡一份心力。」

漢磊並公告董事會決議通過調整113年度第1次私募普通股之資金用途。變更前：全數用於充實營運資金或償還銀行借款以強化財務結構。變更後：購置資本支出、生產、研發及營運所必要費用；擴增8吋SiC生產事業及擴大市場等效益，對股東權益有正面助益。（編輯：沈培華）