世界先進新氮化鎵製程量產 今股價領頭衝

儘管外資示警車用晶片可能出現供給過剩,不過晶圓代工持續布局特殊製程與第三代半導體有新進展。世界先進(5347)宣布,八吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵製程(GaN-on-QST)已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證,正式進入量產,為特殊積體電路製造服務領域首家量產此技術的公司。

世界先進八吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵製程正式進入量產。資料照/中央社提供
世界先進八吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵製程正式進入量產。資料照/中央社提供

世界先進今日股價漲勢領先晶圓代工股,早盤一度上漲超過3%,回攻至86元之上。台積電ADR大漲3.27%,現股漲幅一度近1%,至495元左右,力積電也漲超過1%,越過32元,聯電漲約0.6%,約在46元附近漲檔。

世界先進表示,2018年公司以Qromis基板技術(QST)進行八吋QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST製程開發,今年第一季開發完成,於第四季成功量產,同時已和海內外整合元件製造(IDM)廠及IC設計公司展開合作。

營運長尉濟時指出,公司為特殊積體電路製造服務領導廠商,0.35微米650 V GaN-on-QST製程具備效能及可靠性優勢,不僅提供客戶更優化的積體電路設計選擇,亦協助提升客戶產品的競爭力。

QST基板相較於以矽(Si)作為基板,具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數(CTE),在製程中堆疊氮化鎵的同時,也能降低翹曲(warpage)破片,更有利於實現量產。

世界先進0.35微米650 V GaN-on-QST製程能與公司既有的八吋矽晶圓機台設備在開發與生產上相互配合使用,達最佳生產效率及良率。根據客戶端系統驗證結果,世界提供的氮化鎵晶圓於快充市場應用上,針對65W以上快充產品,其系統效率已達世界領先的水準。

廣告

此外,基於QST基板良好散熱特性,在整體快充方案效能上,世界先進提供的氮化鎵晶圓具有更優良的散熱表現。

世界先進0.35微米650 V GaN-on-QST製程除650 V元件選擇外,也提供內建靜電保護元件(ESD)。此外,針對更高電壓(超過1,000 V)擴充性,公司也已與部分客戶展開合作,以滿足客戶的產品需求。(審核:葉憶如)

延伸閱讀

世界先進前三季EPS7.81元 美出口禁令「感受IDM廠轉單機會」

光洋科「偏保守」看明年上半年 但估5年半導體工繳業績年複合成長5成

「台版晶片法案」政院版拍定 台積電:繼續投資台灣、樂觀其成

  • Yahoo財經特派記者 呂俊儀:資深財經媒體工作者,曾任採訪團隊主管,專訪過長榮集團創辦人張榮發、鴻海創辦人郭台銘,也歷經台積電創辦人張忠謀退休記者會等大事件,堅持產出最專業、富有洞見的新聞。