長江存儲被美國「列入實體清單」!未來恐淡出3D NAND記憶體市場

全球市場研究機構TrendForce指出,長江存儲被美國商務列入「實體清單」(Entity List),將難以購得美國設備商技術支援及設備零件,大幅限制位元成長可能性,恐將導致長江存儲在2024年後淡出3D NAND快閃記憶體市場。

長江存儲總部。圖/翻攝自長江存儲官網
長江存儲被美國商務列入「實體清單」(Entity List),將難以購得美國設備商技術支援及設備零件。圖/翻攝自長江存儲官網

繼記憶體廠美光科技(Micron)、SK海力士(SK hynix)、三星(Samsung)先後推出232層、238層、236層的堆疊NAND Flash,長江存儲也對外宣布已開發出232層的3D NAND Flash,引市場關注;未料,美國商務部12月15日正式將長江存儲列入「實體清單」,未來所有進口、轉口或買賣美國商品前,皆須獲商務部許可。

TrendForce指出,長江存儲在失去設備商支援下,Xtacking 3.0架構中128L及232L生產良率,將受到極大挑戰,2023年NAND Flash供給位元供給量將再度下修,自原預估位元供給年成長60%,先下修至年增18%,在考量列入實體清單影響下,再度大幅下修至年衰退7%。

國際客戶訂單逐漸轉向其他NAND Flash供應商

長江存儲被列入實體清單後,除了產出影響之外,TrendForce也觀察到,非中系客戶對於採用長江存儲技術的態度已轉趨保守,目前美系智慧型手機客戶已暫緩採購該公司NAND Flash產品;同時,原已在進行長江存儲「消費級固態硬碟」(Client SSD)產品驗證的電腦代工廠,也暫停導入。

TrendForce研判,後續長江存儲業務發展恐將僅限縮於中國地區,連同高層數製程轉進受到極大限制,逐漸失去透過產能擴張而放大市占的機會。

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此外,長江存儲遭列實體清單後,若因美國設備管制擴大至荷系、日系深紫外光(DUV)設備,而導致關鍵設備難以取得。

TrendForce認為,2024年以後,當其他NAND Flash原廠主流3D製程普遍將邁入2XXL世代,甚至有機會量產近300L NAND Flash產品,長江存儲將因製程停滯逐漸失去成本競爭力使得市占率持續萎縮。

除了持續向美國爭取自實體清單移除外,長江存儲後續不排除有退回生產2D NAND,抑或轉型為成熟製程邏輯IC供應商等可能性。

NAND Flash明年下半年供需改善有助均價穩定

隨著長江存儲於2023年供給位元再次下修至年衰退7%,整體NAND Flash產業供應位元成長率也同步下滑至20.2%,全年供需曲線(Sufficiency Ratio)將從3.6%收斂至2.3%。

除了供給位元有所收斂,TrendForce看好未來企業用固態硬碟(Enterprise SSD)受惠價格彈性的需求增長,不排除NAND Flash於明年下半年出現吃緊的可能性。

TrendForce認為,各品牌有可能提早於明年第二季擴大備貨動能,NAND Flash價格屆時出現持平的可能性大增,而自明年第三季起NAND Flash均價可望獲得支撐,而開始反轉向上。

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