HBM3e 12層量產面臨兩挑戰 明年是否過剩待觀察

鉅亨網記者魏志豪 台北

研調機構 TrendForce 資深研究副總吳雅婷今 (30) 日表示，儘管市場對 2025 年 HBM 可能供過於求的擔憂加劇，但明年廠商能否依照期望大量轉進 HBM3e 仍是未知數，加上量產 HBM3e 12 層的學習曲線長，目前尚難判定是否會出現產能過剩態勢。

據 TrendForce 最新調查，三星、SK 海力士與美光 (MU-US) 已分別於 2024 年上半年和第三季提交首批 HBM3e 12 層樣品，目前處於持續驗證階段。其中 SK 海力士與美光進度較快，可望在今年底完成驗證。

市場傳出，因部分 DRAM 供應商積極增加矽穿孔 (Through-Silicon Via, TSV) 製程產能，將造成 2025 出現供過於求與價格下滑的可能。根據兩家韓系 DRAM 廠商目前的 TSV 產能提升計畫，三星 2024 年底月產能約 12 萬片，2025 年底預計增加至 17 萬片，提升幅度超過 40%。

而 SK 海力士在同期的月產能提升比例預估為 25%。但由於廠商產品尚未完全通過驗證，產能提升規劃是否能落實有待觀察。

吳雅婷表示，從過去 HBM3 與 HBM3e 世代的量產歷程來看，當時 8 層產品的良率至少歷經兩個季度的學習曲線才達到穩定，有鑑於此，當市場需求快速轉向 HBM3e 12 層產品時，推測學習曲線也無法明顯縮短。

此外，輝達 (NVDA-US)B200/GB200 和超微 (AMD-US) MI325/MI350 都將採用 HBM3e 12 層，由於整機造價高昂，對 HBM 的穩定度要求將更嚴苛，成為 HBM3e 12 層量產過程的一項變數。

TrendForce 預估，受 AI 平台積極搭載新世代 HBM 產品帶動，2025 年的 HBM 需求位元將有逾 80% 落在 HBM3e 世代產品上，其中 12hi 的占比將超過一半，成為明年下半年 AI 主要競爭廠商爭相下訂的主流產品，其次則是 8hi。因此，即便出現供過於求情況，推測最有可能發生在 HBM2e、HBM3 等舊世代產品上，至於對各 DRAM 供應商的影響程度，將取決於各家的產品組合。

目前 TrendForce 對 DRAM 產業展望維持不變，預估 2025 年 HBM 將可貢獻 10% 的 DRAM 總位元產出，較 2024 年成長一倍。由於 HBM 平均單價高，估計對 DRAM 產業總市值的貢獻度將突破 30%。

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