HBM良率低、產量堪慮?韓媒:難過輝達品質測試
MoneyDJ新聞 2024-03-05 11:41:59 記者 郭妍希 報導
韓媒傳出,高頻寬記憶體(HBM)的良率遠低於傳統記憶體產品、通過輝達(Nvidia Corp.)品質測試(qualification test)的難度大增,讓市場對產量感到憂慮。
Wccftech 4日引述南韓媒體DealSite報導,美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等HBM廠商面臨良率低迷窘境,為了通過輝達次世代AI GPU的品質測試,彼此正在激烈競爭。
HBM良率高低,主要跟堆疊架構的複雜程度有關,這牽涉到多重記憶體階層,及作為各層連結之用的直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via,簡稱TSV)技術。這些複雜技術增加製程出現缺陷的機率,可能因此讓良率低於設計較簡單的記憶體。
此外,由於HBM一旦有一個晶片有缺陷,整個封裝都需丟棄,因此產量很低。消息顯示,HBM的整體良率目前約在65%左右,若業者試圖拉高良率、產量就會隨之下降。
美光已於2月26日宣布,開始量產高頻記憶體「HBM3E」,將應用於輝達最新AI晶片「H200」Tensor Core繪圖處理器(GPU)。H200預定今(2024)年第二季出貨,取代當前算力最強大的H100。
SK海力士副社長金起台(Kim Ki-tae) 2月21日則在官方落格指出,雖然外部的不穩定因素仍在,但今年記憶體市場有望逐漸加溫。其中原因包括,全球大型科技客戶的產品需求恢復。此外,PC或智慧型手機等AI裝置對於人工智慧的應用,不僅會提升HBM3E銷量,DDR5、LPDDR5T等產品需求也有望增加。
金起台直指,今年旗下HBM已經全部售罄。雖然2024年才剛開始,但公司為了保持市場領先地位,已開始為2025年預作準備。
(圖片來源:美光)
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