HBM良率低、產量堪慮？韓媒：難過輝達品質測試

MoneyDJ新聞 2024-03-05 11:41:59 記者 郭妍希 報導

韓媒傳出，高頻寬記憶體(HBM)的良率遠低於傳統記憶體產品、通過輝達(Nvidia Corp.)品質測試(qualification test)的難度大增，讓市場對產量感到憂慮。

Wccftech 4日引述南韓媒體DealSite報導，美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等HBM廠商面臨良率低迷窘境，為了通過輝達次世代AI GPU的品質測試，彼此正在激烈競爭。

HBM良率高低，主要跟堆疊架構的複雜程度有關，這牽涉到多重記憶體階層，及作為各層連結之用的直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via，簡稱TSV)技術。這些複雜技術增加製程出現缺陷的機率，可能因此讓良率低於設計較簡單的記憶體。

此外，由於HBM一旦有一個晶片有缺陷，整個封裝都需丟棄，因此產量很低。消息顯示，HBM的整體良率目前約在65%左右，若業者試圖拉高良率、產量就會隨之下降。

美光已於2月26日宣布，開始量產高頻記憶體「HBM3E」，將應用於輝達最新AI晶片「H200」Tensor Core繪圖處理器(GPU)。H200預定今(2024)年第二季出貨，取代當前算力最強大的H100。

SK海力士副社長金起台(Kim Ki-tae) 2月21日則在官方落格指出，雖然外部的不穩定因素仍在，但今年記憶體市場有望逐漸加溫。其中原因包括，全球大型科技客戶的產品需求恢復。此外，PC或智慧型手機等AI裝置對於人工智慧的應用，不僅會提升HBM3E銷量，DDR5、LPDDR5T等產品需求也有望增加。

金起台直指，今年旗下HBM已經全部售罄。雖然2024年才剛開始，但公司為了保持市場領先地位，已開始為2025年預作準備。

(圖片來源：美光)

＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。

延伸閱讀：

台積美國廠補助款有下文 傳獲挹注逾50億美元

聯電2月營收年增3% Q1出貨估季增2%-3%

資料來源-MoneyDJ理財網