美補助縮水…三星調整建廠計畫 全力衝2奈米

陳穎芃／綜合外電報導

美國政府日前宣布《晶片法案》對三星電子提供的補助縮水後，三星也隨之調整美國建廠計畫，取消先前預定在德州興建的先進封裝廠，全力投入美國2奈米製程，藉此吸引更多美國晶片設計商合作。

自從拜登政府通過《晶片法案》吸引海外半導體大廠投資美國以來，三星便積極爭取《晶片法案》補助，無奈美國建廠計畫一波三折。

三星最初打算投資超過400億美元，在德州泰勒市興建兩座晶片製造廠、一座研發中心和一座封裝廠，主打3D HBM及2.5D先進封裝技術。然而，三星後來決定將投資額縮減為370億美元，於是拜登政府也縮減補助金額。

美國商務部發言人日前表示由於三星縮減美國投資額，因此美國政府對三星提供的補助也從今年4月宣布的64億美元減為47.5億美元，足足縮水25％以上。

三星依照最新補助額調整美國建廠計畫，決定放棄泰勒市封裝廠，保留原本計畫的兩座晶片製造廠。這兩座晶片廠本該生產4奈米及2奈米製程晶片，如今三星也改變計畫，決定完全用來生產2奈米製程。

三星最新計畫意味著美國就業市場的受惠程度也將受到影響，起初三星預期為當地創造超過4,500個高薪製造業職缺及1.7萬個營造業職缺，如今只會創造3,500個製造業職缺及1.2萬個營造業職缺。

三星原先的美國投資計畫是希望在美國打造整合式一條龍服務，從晶圓製造到封裝一手包辦，如今卻改口表示優先提高2奈米製程技術，呼應近來三星高層大搬風後策略轉向。

三星晶圓代工部門新主管韓鎮滿（音譯、Han Jin-man）在12月初上任後，便提出全力提高2奈米製程良率以及擴大成熟製程客戶的雙向策略，企圖縮小三星與台積電的市占落差。

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