微矽電子-創正式掛牌，新廠無塵室預計Q2完工，下半年注入新成長動能

【財訊快報／記者李純君報導】晶圓測試廠商微矽電子-創(8162)，7日以每股35元正式掛牌上市。受惠於第三代半導體測試需求增溫，啟動擴產，新建廠房預計第二季無塵室就會完工並進駐機台，下半年注入新成長動能。微矽電子董事長張秉堂表示，隨著節能趨勢成形，微矽也投入氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）等第三代半導體測試，與傳統的矽基半導體相比，第三代半導體具有更高的耐壓、耐熱、耐輻射等特性，在快速充電器、AI伺服器、無人機、家電、5G通訊、電動車、太陽能、風電、儲能系統等領域具有絕佳的應用前景。微矽已取得多家晶圓廠與IC設計公司的認證。

張秉堂進一步透露，公司在2014年即切入氮化鎵（GaN）晶圓測試領域，具有多年氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）晶圓測試領域之開發經驗，其中氮化鎵（GaN）亦與國內外多家晶圓廠與IC設計公司合作開發測試，對氮化鎵（GaN）的需求成長，公司可快速導入量產，帶動未來成長契機。此外，未來隨著車用市場對碳化矽（SiC）之功率元件需求提升，公司亦可藉由多年與碳化矽（SiC）客戶長期合作，取得國際車用大廠之認證，藉此跨入高規格車用市場領域，成為帶動未來營收成長之另一契機。

微矽加工服務之主力產品為功率半導體（Power Semiconductor）中的MOSFET、氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）與電源管理IC（PMIC），隨著節能意識抬頭，功率半導體需求成長，微矽將可望長期受惠，未來發展可期。