南亞科技攜手鎧俠 研發垂直通道電晶體DRAM技術

工商時報 李娟萍

南亞科（2408）21日宣布，與鎧俠共同研發垂直通道電晶體DRAM技術，該技術架構在記憶體微縮及降低電量消耗上，可提供顯著效益。

南亞科與鎧俠將於2024年12月舉辦的國際電子元件會議 (International Electron Devices Meeting; IEDM)上，發表此一採用氧化物半導體製造垂直通道電晶體DRAM製程技術，著重於降低電量耗用，並達到極低漏電流。

這項創新技術透過製造流程改善來強化晶片整合架構發展，展現南亞科在DRAM領域持續精進，以滿足在高記憶體容量的相關應用上 ，如人工智慧設備、後5G通信及物聯網，對節電與效能日益增加的需求。

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