《半導體》富鼎搶攻SiC、IGBT商機 營運加分

【時報-台北電】金氧半場效電晶體（MOSFET）廠富鼎（8261）看好碳化矽（SiC）、絕緣柵雙極電晶體（IGBT）等第三代半導體市場未來可望快速成長，目前在600V／1200V的IGBT鎖定白色家電市場並已經開始量產，SiC則結合蕭特基二極體（Schottky Diode）進入工程樣品階段，未來有機會切入工控及車用市場，帶動公司營運進入新成長軌道之上。

隨著5G、車用、工業等應用開始快速崛起，SiC及IGBT等需求亦開始同步快速成長，其中歐盟大力推動降低碳排放量更推動混合動力車及電動車市場高速成長，為提高引擎能源轉換效率，功率半導體規格升級更扮演其中關鍵要角。

其中，SiC更能比當前廣泛應用的矽（Si）材料承受高達10倍的擊穿電場，代表SiC能夠在更高電壓工作，且在導熱效率也比矽還更高，因此SiC在能源轉換效率上都比矽還更高，至於IGBT亦有類似功效，因此讓SiC及IGBT成為新一代功率半導體材料首選。

富鼎早已嗅到這股商機，並投入IGBT、SiC等產品線開發，目前600V／1200V的IGBT技術整合高壓蕭特基二極體的設計，瞄準電冰箱、微波爐及電子鍋等白色家電市場。

法人指出，富鼎在IGBT市場已經開始量產出貨，目前挹注業績雖仍不明顯，但後續IGBT市場逐步成長之際，富鼎營運可望隨之提升。

至於SiC產品線，富鼎則以結合蕭特基二極體進軍SiC市場，並推出SiC蕭特基二極體新製程平台開發，當前已進入工程樣品開發階段，最快有機會在2021年完成可靠度驗證，後續將有機會跨入工控及車用等快速成長的SiC市場。

事實上，全球IDM大廠早已進入SiC、IGBT等領域，並已經開始量產出貨，不過由於產品單價偏高，因此出貨動能亦局限於高階市場，富鼎為國內首家跨入相關領域的功率半導體晶片廠，隨著電動車、5G及工業等市場開始快速導入SiC、IGBT等第三代半導體元件，富鼎亦有機會藉此卡位新商機。

此外，富鼎累計前五月合併營收達16.99億元、年成長60.3％，改寫歷史同期新高。法人看好，在IDM大廠持續調漲MOSFET報價的同時，富鼎下半年有機會再度大啖缺貨漲價商機，帶動全年營運繳出年增逾五成的歷史新高成績單。（新聞來源：工商時報─記者蘇嘉維／台北報導）