《半導體》台亞衝氮化鎵 今年挹注營收

【時報-台北電】台亞（2340）積極投入寬禁帶半導體（第三代半導體），公司已在今年第一季試產氮化鎵，初估今年可望開始貢獻營收，此外看好第三代半導體中長期發展，台亞將在銅鑼擴建6吋碳化矽、8吋甚至12吋氮化鎵新廠，以及後段的測試、封裝廠，以類IDM廠的模式進軍第三代半導體。

由於尚未通過主管機關申請，台亞總經理衣冠君不透露銅鑼新廠的投資規模，不過根據估計，新廠光土建的部分就投資約數十億元，建廠用地廣達4公頃，預計在2026年初投入生產。

而在氮化鎵（GaN-on-Si）方面，產能建置初期以6吋晶圓為主，充分利用現有6吋生產設備、增置關鍵MOCVD機台，現已完成第一顆650V D-mode HEMT開發，並送樣予客戶驗證，目前已有二家客戶看過電信資料，台亞預期在少量代工單生產之下，氮化鎵今年可望開始挹注營收，衣冠君表示，明年氮化鎵營收提升至30％的目標可望達陣。

台亞8吋氮化鎵新廠，將在2023年底完成建置，目前設備型號已經敲定，衣冠君認為，該廠將是全球少見的先進功率元件廠，預計在2024年底之前達成每月3,000片之出貨量，將聚焦於3C快充、電動車、無人機等應用，為扶植台灣本土設備商，該廠採用國產設備比率達40％，為台灣半導體界罕見之高比例。

轉投資的積亞半導體則以投入SiC磊晶及MOSFET功率元件之生產製造，預計在2023年第四季前完成6吋碳化矽每月3,000片之產能建置，2024年第一季試產，後續產能將提升至每月5,000片。

台亞20日舉行股東常會，除通過配發每股1元現金股利之外，也通過去年分割出的子公司「光磊先進顯示」未來上市櫃規劃的釋股案。(新聞來源 : 工商時報一李淑惠／台北報導)