朋程光電展大秀碳化矽及IGBT研發實力，朝碳化矽IDM廠邁進

【財訊快報／記者張家瑋報導】二極體廠朋程(8255)於今年國際光電展場展示一系列碳化矽功率模組、IGBT功率模組、碳化矽MOSFET Discrete、碳化矽Diode Discrete、矽基IGBT Discrete及功率元件晶圓等。朋程表示，因應新能源車快速發展，正積極轉型產品結構，朝向碳化矽IDM廠之路邁進，持續研發車用及工業用功率元件。朋程在原有燃油車發電機二極體市佔率第一，該公司表示，深耕燃油車發電機之技術優勢，未來在全球節能減碳趨勢下，電動車將取代燃油車，碳化矽功率模組、IGBT功率模組將成為未來功率模組市場成長主力。

2024年朋程超高效二極體（ULLD）與xEV MOSFET模組會是主要成長動力，由於高效二極體（LLD）全球市占率已達80%，預期市場需求持平之下，2024年LLD銷售持穩；而碳化矽除了布局電動車逆變器之外，太陽能逆變器及儲能模組已送樣中系客戶，其客戶驗證時間較電動車進展快。

而IGBT模組750V/150kw、750V/100kw及1200V/150 kw三種規模均具備量產能力，目前正積極向客戶推廣，所接觸台灣、日本、歐洲、韓國客戶反映佳，預期2024、25年會開始小量出貨，預估2026年之後，隨著客戶訂單放量，IGBT模組正式進入高速成長期。

朋程表示，持續積極研發與生產車用及工業用功率元件，除布局碳化矽IGBT模組外，亦積極研發功率元件晶圓，新能源車快速發展，朋程正積極轉型產品結構，針對電動車關鍵零組件碳化矽模組，朝向碳化矽IDM廠邁進。