HBM對DRAM廠貢獻 逐季揚

李娟萍／台北報導

TrendForce指出，隨著AI伺服器持續布建，高頻寬記憶體（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產品的三至五倍，待下一代HBM3e量產，加上產能擴張，營收貢獻將逐季上揚。

TrendForce於16日舉行「AI時代 半導體全局展開─2025科技產業大預測」研討會，並說明對記憶體後市的看法。

TrendForce指出，HBM市場仍處於高成長階段，由於各大雲端廠商持續布建AI伺服器，在GPU算力與記憶體容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環，帶動HBM規格容量上升。

如NVIDIA Blackwell平台將採用192GB HBM3e記憶體、AMD的MI325更是提升到288GB以上。

由於HBM生產難度高、良率仍有顯著改善空間，推高整體生產成本，平均售價約是DRAM產品的三至五倍，待HBM3e量產，加上產能擴張，對三星、SK海力士及美光等DRAM廠商的營收貢獻，將逐季上揚。

在NAND Flash後市部分，TrendForce指出，NAND Flash供應商經歷2023年的鉅額虧損後，資本支出轉趨保守。同時，DRAM和HBM等記憶體產品需求，受惠AI浪潮的帶動，將排擠2025年NAND Flash的設備投資，使得過去嚴重供過於求的市況，將有所緩解。

隨著AI技術快速發展，NAND Flash市場正經歷前所未有的變革。AI應用對高速、大容量儲存的需求日益增加，長期而言，將推動enterprise SSD（eSSD）市場的蓬勃發展。

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