《科技》HBM明年營收倍增 NAND供過於求緩解

【時報記者葉時安台北報導】調研機構TrendForce周三舉行「AI時代半導體全局展開–2025科技產業大預測」研討會，其中記憶體以「HBM市場面臨的需求挑戰與未來展望」、「NAND Flash市場深度解析：AI浪潮下的機遇與挑戰」為題，針對HBM供需疑慮，集邦仍看好其高成長度，隨著HBM3e價格上漲和產品組合的增加，HBM的ASP將在2025年增長18%，進一步推動收入增長156%，其占DRAM收入的比重將超過30%。而NAND Flash市場上，預估明年供過於求的市況將有所緩解。

集邦科技分析師王豫琪表示，HBM市場仍處於高成長階段，隨著AI Server持續布建，在GPU算力與記憶體容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環，帶動HBM規格容量上升，如NVIDIA Blackwell平台將採用192GB HBM3e記憶體、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由於HBM生產難度高、良率仍有顯著改善空間，推高整體生產成本，平均售價約是DRAM產品的三至五倍，待HBM3e量產，加上產能擴張，營收貢獻將逐季上揚。

針對市場傳言HBM供過於求還是供不應求狀況，王豫琪說明，主要是因為HBM生產難度高、良率仍有顯著改善空間，市場仍難買HBM，產生供不應求狀況，HBM3e 12hi生產收益學習曲線需要克服，如今時間點使得供需泡沫點難以預估，評估驗證後導入量產，關注產量，HBM提高訂單能見度便能討論實際供需，HBM整體看法仍為正向成長的存在，預計2025年收益率將上升。隨著HBM3e價格上漲和產品組合的增加，HBM的ASP將在2025年增長18%，進一步推動收入增長156%，其占DRAM收入的比重將超過30%。

NAND Flash市場上，集邦科技研究經理敖國鋒表示，NAND Flash供應商經歷2023年的鉅額虧損後，資本支出轉趨保守。同時，DRAM和HBM等記憶體產品需求受惠AI浪潮的帶動，將排擠2025年NAND Flash的設備投資，使得過去嚴重供過於求的市況將有所緩解。隨著AI技術快速發展，NAND Flash市場正經歷前所未有的變革。AI應用對高速、大容量儲存的需求日益增加，推動企業級enterprise SSD(eSSD)市場的蓬勃發展。