晶背供電商機 中砂搶頭香

晶背供電(backside power delivery,BSPD)可望成為埃米世代顯學,英特爾(Intel)將率先於2025年導入Intel 18A製程,且已於Intel 4展示,台積電(2330)則計畫在2026年下半年A16製程起導入。法人指出,台系業者中砂(1560)搶頭香,今年底將有初步成果。

法人分析,晶背供電對晶圓厚度要求較高,估計在CMP(化學機械研磨)製程增加下,日商Ebara(荏原精密)受惠程度最高,台灣設備廠如天虹科技也有能力提供ALD解決方案;材料方面,則以中砂之鑽石磨盤為最大受惠者。

BSPD不但為電晶體電源線的設計方法,相對於正面供電,BSPD能源效率較佳、電壓降較低,更適合HPC(高效能運算)應用。

不過該技術具有較高的進入障礙和成本,目前僅台積電、英特爾、三星投入BSPD技術開發。其中,英特爾將於明年下半年發表使用BSPD於Intel 18A;台積電緊追其後,規劃為A16開始採用,三星則預計在2027年導入SF2Z。

新製程分別搭配GAA(環繞式閘極)或RibbonFET(最新的電晶體架構),台積電及英特爾都將迎來技術升級,台積電名為超級電軌技術(Super power rail)將電源傳輸線直接連接到晶體管的源極和汲極、提高晶片效率;英特爾則稱之為Powervia,使用奈米矽穿孔(nano TSVs)將背面電源網絡連接到電晶體的接觸層。

相關供應鏈透露,與IDM客戶合作需經過長時間認證,中間也有許多挑戰克服,尤其是先進技術需要從點到線逐漸突破。以鑽石碟、乘載晶圓業者中砂而言,送樣產品陸續增加,而每樣產品依照製程難度需耗時半年至一年的時間不等,預估今年底會有初步結果。

CMP製程用量平均每世代會增加5%~10%,越先進增加的速度越快,甚至超過10%;二奈米即較三奈米用量成長10%,A16導入晶背供電後將成長更多。

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