搶攻AI資料中心商機,安森美推新一代SiC 650V MOSFET

【財訊快報/記者張家瑋報導】隨著資料中心為滿足AI運算的龐大處理需求而變得越來越耗電,半導體大廠安森美(onsemi)推出新一代T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V MOSFET,該解決方案在更小的封裝尺寸下提供更佳能效與熱性能,適時因應AI資料中心快速發展對功耗降低龐大需求商機。與一般搜尋引擎相比,搭載AI引擎需要消耗超過10倍的電力,預計在未來不到2年的時間,全球資料中心的電力需求將達到約1,000 TWh。從電網到處理器,電力需要經過4次轉換來為AI需求處理提供電能,這可能導致約12%的電力損耗。

安森美表示,通過使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解決方案,資料中心能夠減少約1%的電力損耗。若在全球的資料中心實施這一解決方案,每年可以減少約10 TWh的能源消耗,相當於每年為近百萬戶家庭提供全年的用電量。

安森美EliteSiC 650V MOSFET可提供卓越的開關性能和更低的器件電容,可在資料中心和儲能系統中實現更高的效率。與上一代產品相比,新一代碳化矽 MOSFET的柵極電荷減半,並且將儲存在輸出電容和輸出電荷中的能量均減少44%。與SJ MOSFET相比,在關斷時沒有拖尾電流,在高溫下性能優越,能顯著降低開關損耗。另外,T10 PowerTrench系列亦符合汽車應用所需的嚴格標準。