增產先進DRAM 美光廣島新廠傳27年運轉、導入EUV

MoneyDJ新聞 2024-05-29 07:19:39 記者 蔡承啟 報導

增產先進DRAM產品,傳出美國記憶體大廠美光(Micron Technology)日本廣島新廠將在2027年運轉生產、將導入多台EUV(極紫外光)微影設備、投資額最高達8,000億日圓。

日刊工業新聞28日報導,為了增產先進DRAM、美光位於日本廣島的新廠據悉將在2027年底運轉生產。該座先進DRAM新廠位於美光廣島工廠附近,將在2026年初動工興建、將導入多台EUV微影設備,投資額最高達8,000億日圓。

根據MoneyDJ XQ全球贏家系統報價,美光28日大漲2.46%、收132.67美元,創歷史收盤新高。

日經新聞4月30日報導,為了因應生成式AI用記憶體需求擴大,美光將在日本廣島工廠量產生成式AI所必需的「高頻寬記憶體(HBM)」、目標在2025年將HBM全球市佔率提高至25%、將達2022年的2倍以上水準。

美光執行副總裁兼事業長Sumit Sadana接受日經新聞專訪表示,「廣島工廠將成為AI記憶體生產據點」,藉由導入次世代技術和增產投資,「目標將HBM市佔率提高至25%左右水準」。美光2024年2月開始出貨的新型HBM產品已獲輝達(Nvidia)採用。

據台灣調查公司Trendforce指出,2022年美光HBM市佔率僅1成,落後給南韓SK海力士(市佔率50%)和三星電子(40%)。

(圖片來源:廠商提供)

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