《半導體》DRAM股續探底 外資大砍南亞科目標價

【時報記者葉時安台北報導】記憶體寒冬吹拂，DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)周五股價翻黑再探多年低檔，旺宏(2337)雖穩住紅盤之上，仍在20元之下低檔游走。展望2025年，日系外資認為，今年DRAM和NAND市場前景恐比市場普遍看法更為保守，由於大宗商品需求疲軟和供應增加，尤其中國供應商DDR5生產速度高於預期，使得記憶體價格可能在今年上半年持續下跌，記憶體業短期恐深陷不利因素，而在人工智慧需求強勁情況、庫存趨向正常化，可望引領下半年需求反彈和價格復甦，全球記憶體製造商將在強勁的AI、HBM需求中，保持穩健獲利動能，重申目前對全球記憶體產業樂觀看法。

市場看好HBM動能，日系外資將記憶體大廠美光投資評等維持買進(BUY)，不過將目標價從145美元下調至126美元，同樣也將具HBM領導地位的SK海力士下修目標價，擔憂HBM供應延遲，但仍看好HBM後續帶來的營運表現。日系更將南亞科目標價從78元下砍至30元，並投資評等下調持有(Downgrade to Hold)。南亞科股價從上周失守30元關卡後一路走疲，周五再度翻黑，28元得而復失，南亞科也將於1月13日召開法說會，說明現況。

NAND Flash市況轉弱，合約價格自上季開始下跌，美光也於去年12月宣布NAND晶圓將減產10~15%。對產業影響方面，美光在NAND全球市占率僅12%，減產10~15%即影響1.2%~1.8%供給，但目前NAND產業供過於求缺口在5~10%之間，因此在消費市場未能好轉下，NAND 合約價格將於今年第一季持續下跌10~15%，跌幅擴大。

DRAM報價同樣持續疲軟，集邦預估整體DRAM合約價下跌幅度從去年第四季的個位數擴大至今年第一季的8~13%(不含HBM)，其中DDR3及DDR4受到消費市場疲軟影響，且中國新增產能干擾，報價維持跌勢，分別下跌3~8%及10~15%，而之前滲透率持續提升且穩定上漲的DDR5價格，也因為三星在HBM3E發展不順，將多餘產能轉至DDR5，導致合約價在第一季小幅走弱。短期DRAM報價走勢疲軟，獲利持續下修。相較之下，HBM受惠AI伺服器強勁的需求，報價依舊有勁，而SK海力士法說會中對HBM的銷售持樂觀態度，但公司預計2024年HBM市場的供應將達到2500億GB，相對之下需求可能僅為1500億GB，存在供過於求的風險，恐牽動價格放緩可能性。

記憶體價格上，在供應商減產和需求回補的刺激下，價格從2023年第四季度開始反彈，不過2024年雜音湧現，在去年下半年調整庫存，記憶體價格將在今年上半年持續進行調整，儘管人工智慧需求持續強勁，但手機、PC OEM的需求持續疲軟和庫存調整，以及中國製造商的供應增加，這可能會導致今年上半年出現供應過剩和價格下跌。

放眼下半年傳統旺季，外資認為，可望受惠OEM庫存水準的正常化、設備端AI的需求增加、持續強勁的HBM/伺服器需求、供應商主動減少供給、消費性產品需求復甦等，預計NAND價格將從去年第四季度至今年上半年下降後，在今年下半年有所反彈；DRAM價格也有望從今年上半年調整後，跌勢在今年下半年有所緩解。

儘管商品記憶體需求持續放緩，仍持續觀察需求復甦動能，外界將記憶體寄託在AI需求上，縱使記憶體供應商積極擴張產能，今年HBM供應緊張可能會持續，推升供應商營運數據，並可期12層HBM3E將取代8層成為今年主流產品，且主要客戶的HBM4認證將在下半年開始，於2026年加速16層HBM4 Hybrid Bonding的開發。