勤益大學攜手全鑫精密 創立國產半導體材料實驗室

10月18日在勤益大學舉辦2024先進材料製造技術論壇,會後參觀「8吋國產化合物半導體材料加工研發實驗室」,工程學院院長蔡明義(右五)、全鑫精密董事長吳信毅(右四)及與會貴賓,在全鑫晶圓薄化設備前合影。圖/黃俊榮
10月18日在勤益大學舉辦2024先進材料製造技術論壇,會後參觀「8吋國產化合物半導體材料加工研發實驗室」,工程學院院長蔡明義(右五)、全鑫精密董事長吳信毅(右四)及與會貴賓,在全鑫晶圓薄化設備前合影。圖/黃俊榮

為推動台灣高科技產業的進一步升級,勤益大學由蔡明義院長與全鑫精密工業股份有限公司等產業夥伴合作,創立了「8吋國產化合物半導體材料加工研發實驗室」,該實驗室致力於提升國內在8吋單晶碳化矽技術的研發實力,並通過創新技術實現國產化合物半導體材料的突破。

全鑫精密設備開發從2021年推出單軸晶圓研磨機GTR-1215,在矽基板、磷化銦(InP)、玻璃基板、封裝基板都有研磨實績,2024年為提升製程效率,推出雙軸6~8吋全自動晶圓研磨機,以滿足產業需求。

全鑫精密工業股份有限公司研發了具備高度創新技術的晶圓薄化設備GTR系列。該設備特點,包括:

1、高剛性液靜壓主軸與旋轉平台:提升整體設備的穩定性與精度,確保晶圓薄化過程的高品質。

2、國產客製12吋砂輪與真空吸盤:與本土企業共同開發客製砂輪及真空吸盤,有效降低耗材成本及掌握製程。

3、智慧AI預測模型:該設備運用AI技術,能夠精準預知加工過程中的變數,進一步確保製程的穩定性與良率。

4、晶圓減薄能力:全鑫精密的晶圓減薄機已達到業界量產需求,6吋SiC裸片可研磨至100μm厚,鍵合後SiC可薄化至30μm,最近驗證8吋SiC研磨後可達TTV<3μm。

全鑫精密的設備將成為6吋與8吋碳化矽晶圓薄化減薄的領先設備,有望取代國際大廠設備。這不僅能有效提升國內設備供應商的競爭力,還可為客戶降低約30%的採購成本,大幅提升台灣在全球半導體市場中的競爭優勢。

透過這次合作,勤益大學與全鑫精密等國內企業將共同推動高階技術人才的培育。學生將有機會參與到實際的研發專案中,並與業界專家一起攻克技術難題。這不僅能加速技術落地,也為台灣培育未來的科技領袖。

勤益大學與全鑫精密共同表示,這次的合作對雙方乃至整個台灣半導體產業都具有深遠的意義。未來,實驗室將持續推動技術創新,擴展更多國際合作機會,擴大台灣在全球半導體市場的領先優勢。

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